非晶硅薄膜和结晶硅薄膜的拉曼光谱参考.pdfVIP

、 l()()n 一7I 7 其 验 窜 研 究 与 探 35绉 8l9 (：、 3l—l707 i’ lt：、l{(：ll 、 l1l·： 1．《)}{1、ll1) I、 Vt】I．35 、 8 lb 非晶硅薄膜和结晶硅薄膜的拉曼光谱 马希文， 杨玉庆 ， 张 坤 ， 何 佳 ， 张 霞 (1海 I程技术大学 材料 I程学院，上海 201620) 摘 要 ：以玻璃 为衬底 ，利用等 离子体增强化学气相沉积工艺制备 了非晶硅 (ot—Si) 薄膜，然后通过准分子激光晶化方式获得结晶硅 (Iie—Si)薄膜 ，采用激光显微拉曼 光谱仪对非晶硅薄膜、结晶硅薄膜这两类薄膜 的拉曼光谱效应和结 晶质量等进行 了定鼋分析 结果表明：当激光功率达到某一 阈值 时，非 晶硅样 品发生 了晶化 ，即 、圭7非晶硅转化成了结晶硅 ，特征峰发 生了46．8c-m 的位移，薄膜的结晶性质发 生 根本变化 而结晶硅样品在激光功率变化过程 中仅 因能量积聚造成 了薄膜 内应 力 变化 ，激光能量消散后 内应力恢复原来的状态，特征峰在 ±5．4 }in 位移 内波动 ， 薄膜的结晶性质并未发生明显变化，表 明薄膜处于稳定的晶态结构。 关键词 ：非晶硅薄膜 ；结晶硅薄膜；准分子激光晶化 ；拉曼光谱 ；拉曼位移 中图分类号 ：TN386．1；0484．4 文献标志码 ：A 文章编号 ：1006—7l67(2016)08—0033—04 TheRamanSpectraStudyofAmorphousSilicon ThinF-lmsandCrystallineSiliconThinF_lms MA 一 ，，， YANG Yu—qing， ZHANG Kun， HE Jia， ZHANGXia (I)e1)at’Illl(1lllol’MaterialEngineering，ShanghaiUniversityofEngineeringScience，Shanghai201620，China) Abstract：Ft)l’inspe(l‘ion ofal¨t’rpt1)‘ussilieon thin filmsand crystalline．silicon thin fihns’Raman speetra． we used plasnm enhalu州I(h‘rmicalvapor(tep()sition (PECVD) t()grow amorphuussilicon ( —Si) thin film on the．glass substrales，thenuse(tex(in rlasm’(1ryslallizatinntoobtain(．rystallinesilicon (n(一·Si)thinfilm．Aftergrowth，micro lasm’Ilaman st)e(I‘Itl‘IIle|el’wasemph)yed t()analyzethe Ranlan eftec．ts antiquantitative erystalquality ufaf1mrphnus sill()‘‘1『thin f’ihn all(I【r‘ystalline silk。()n thin filn1 ． TheRaman inslrulnenlwasusedof532 IIIn laseratthesamet)ninton thethi,1fihnsfrdifferentpowerintensity in’adiation．andthelaserirradiationpower