年剂量测量方法.PDF

年剂量测量方法 年剂量测量方法很多, 但是归纳起来有三种, 元素含量分析、厚源α 粒子计数法和热释光剂 量测定法. 这里主要介绍前两种方法： 1 元素含量分析：元素含量分析. 通过各种分析手段, 获得器物和其埋藏地周围土壤中 232Th, 238U(包括235U), 40K 和87Rb 的含量. 如中子活化分析、裂变径迹分析以及各种仪 器分析. 仪器分析中常用的有γ能谱分析、原子吸收光谱、X 荧光分析仪、火焰光度计等. 然后把含量换算成年剂量. 这类方法用得很普遍, 许多物理和化学实验室都有这些仪器. 现 代分析仪器的精确度和准确度已经达到非常高的水平,所以采用含量分析, 可以得到准确的 结果. 缺点是这些方法都假定放射系处于长期平衡状态. 事实上不少陶瓷原料中有年轻的沉 积物, 其平衡状态并未建立, 有些原来已经平衡的样品后来遭到破坏, 都会给年剂量测定带 来一定的误差. 另外, 有些含量分析设备昂贵, 还有一些分析如中子活化必须送到有反应堆 或者中子源的部门进行, 这些都会给年代测定工作带来困难. 因为成分分析在物理和化学实 验室中已经普遍使用, 不属于热释光测定年代中特有方法,所以不再赘述。 2 厚源α 粒子计数法：厚源α粒子计数法是测量年剂量最常用的方法, 其优点是样品用量 少(1 g 左右), 仪器简单, 成本低, 使用方便, 测量速度快, 普通陶瓷类样品连续测量24 小 时即可. 还有一个优点是可以从测量得到的α计数率直接得到年剂量. 当一个α 粒子从样 品发射到ZnS 闪烁屏时, ZnS 产生一个闪烁, 由光电倍增管光阴极接收放大后, 在阳极输出 一个脉冲. 因为脉冲数与α粒子数成正比, 所以用率表记录得到的脉冲数也是α 粒子数. 从α 粒子计数率(包括“总α 计数率”和“快对”或者“慢对”计数率)可以计算出这个样品的α, β 和γ剂量率。 图9 是Aitken 提出的ZnS 屏上厚样品α 计数的理想模型[15]. 样品和ZnS 的厚度都比样 品发射的α粒子的射程R 大, 假定瞬时发射的α 粒子都具有相同的初始能量, 而且许多路 线都是斜的. 从图9 可以看到, 在靠近ZnS 屏的发射核, 大约有一半的α粒子产生闪烁(如 图9 中的A 点). 离开ZnS 的核, 产生的闪烁少得多(如图9 中的B 点). 超过射程的核, 没 有一个α 粒子能够达到ZnS 屏(如图9 中的C 点). 由此可见, 在厚度为R 的样品层内发 射的α 粒子, 平均有 1/4 达到 ZnS 屏.Aitken 从理论上推导了这个结果[15]. 如果在厚样品中取一个小体积元 dA ×dh(见图10), 那么从这个体积元发射的α粒子是一个圆锥形立体角. 圆锥体的母线R 与 重心线h 的夹角为θ, 则从这个体积元发射的α 粒子的立体角为2 π(1−cos θ). 实际上R 和h 是α粒子的射程, h 也是体积元到闪烁屏的样品厚度. 那么来自体积元的α 粒子在4 π 立体角内达到屏的几率就为： 如果用Cα表示单位时间和单位质量样品发射的α粒子数目, 即放射性比度(Bq/kg), 用ρ 表示 样品密度, 则自面积为dA 的圆柱体样品发射的α粒子达到屏的计数率αdA 可以用下列积分 计算. 因为屏的直径远大于α粒子的射程, 故边界效应可以忽略. 这样面积为A 的整个样品达到屏 的总α粒子计数率α 应为： 事实上,在每个平衡的放射系中,都含有n个α粒子发射体.用C表示单位质量母核放射 性比度,R表示各放射系成员发射的α粒子的平均射程,(12)式可以写成： 根据U 系和Th系的α 粒子数目以及它们的平均射程和陶瓷器样品的密度,钍系α粒子 计数率αTh和铀系α粒子计数率αU以及它们之和的