电流拥挤效应与LED 器件可靠性分析 - 发光学报.PDF

第34卷摇 第8期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾34 No郾8 2013年8月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Aug. ,2013 文章编号:1000鄄7032(2013)08鄄1051鄄06 电流拥挤效应与LED器件可靠性分析 * 吴艳艳,冯士维 ,乔彦斌,魏光华,张建伟 (北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性实验室,北京摇 100124) 摘要:对小功率GaN基白光LED的电流拥挤效应进行了研究,发现串联灯组(8只为一组)在经过22 V 电压 冲击后出现漏电失效现象。 通过Pspice软件对串联LED灯组进行模拟,发现与其他样品相比,受损样品承受 了更大的电压和功率;对器件加-2 V偏压,利用光发射(EMMI)显微镜对芯片表面不同量级漏电流进行定位 分析比较,结果表明漏电流集中在p型扩展电极端点附近。 分析认为,电压冲击的破坏路径穿过了LED 的量 子阱结构,而电流的不均匀分布造成了p型扩展电极附近的电流拥挤,加剧了pn结的损伤程度,提高电流扩展的 均匀性可以有效提高LED的可靠性。 最后还对在正向电流鄄电压区域出现微分负阻特性的器件进行了失效分析。 关摇 键摇 词:光学器件;电流拥挤;发光二极管;EMMI;可靠性 + 中图分类号:TN383 .1摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1051 Study of Current Crowding Effect and Reliability of LED Devices * WU Yan鄄yan,FENG Shi鄄wei ,QIAO Yan鄄bin,WEI Guang鄄hua,ZHANGJian鄄wei (College of Electronic Information Control Engineering Reliability Physics Laboratory, Beijing University of Technology,Beijng 100124,China) *Corresponding Author,E鄄mail:shwfeng@ Abstract:The current crowding effect of low鄄power GaN base LEDs was investigated. It is found that LEDmodule (eightLEDsinseriesasasetofgroup)sufferedvoltagesurgesometimespresented currentleakagefailure. PspicewasappliedtosimulateLEDmodule. Itshowedthedamagedsamples bore morevoltage andpower comparedwith the normal results. The orientation of leakage current of LED chip was studied via Emission Microscope (EMMI),the result indicated the leakage current intensively spreaded ontheendof thep鄄typeextendedelectrode. Weassumedthatthedamagedroute of voltagesurgedthroughthequantumwell of LED,andtheun鄄distribution