萧特基能障金氧半电晶体元件研制与理论分析-国立交通大学机构典藏.PDF

蕭特基能障金氧半電晶體元件研製與理論分析－總計畫 計畫編號： NSC 90-2215-E-009-079 執行期限： 90 年 08月 01日至 91 年 07月 31日 主持人：黃調元 國立交通大學電子研究所 共同主持人：林鴻志 國家奈米元件實驗室 一、摘要 explored. The new SBTFT device with FID extension 在本研究計畫中，我們結合蕭特基能障電晶 shows excellent ambipolar performance with 體與新式場引發汲極延伸 (field-induced drain)的結 effective suppression of gate-induced drain leakage 構，可有效的壓抑在汲極端所產生的高電場，抑制 (GIDL)-like off-state leakage that plagues 大漏電流的現象，使得元件的特性更加理想，得到 conventional SBTFT devices. It was found that 對於 n 通道和 p 通道而言， On/Off電流的比率分 field-emission process dominates the leakage 6 8 別為 10 和 10 。在計畫中，將並詳細研討蕭特基 conduction of the device with conventional structure 能障薄膜電晶體的漏電流機制。具有場引發汲極延 as the field strength in the drain junction becomes 伸的新式蕭特基能障薄膜電晶體擁有良好的雙極 high, and results in the strong GIDL (gate-induced 性元件特性,並能有效抑制類似閘極引發汲極漏電 drain leakage)-like phenomenon. In contrast, for the 流(GIDL)的 off-state漏電流 ,這種漏電流幾乎使 device with field-induced-drain structure, the 得傳統結構的特基能障薄膜電晶體不具操作特性 . high-field region is pulled away from the silicide 對傳統結構元件而言,經由對其 off-state的漏電 drain. As a result, thermionic emission rather than 流的活化能(activation energy)之探究 ,我們認 field emission becomes the dominant conduction 為由汲極端而來的載子場發射 (field emission) mechanism, resulting in the effective suppression of 現象是主要的漏電流機制 .然而對具有 FID結構的 the undesirable GIDL-like leakage c