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1.本征半导体及其导电性 本征半导体的共价键结构 本征半导体导电特性 本征半导体的两种载流子： （1）带负电荷的自由电子 （2）带正电荷的空穴 特点： （1）载流子成对出现； （2）载流子浓度受温度影响； （3）总体载流子浓度较低。 N型半导体 P型半导体 PN结的单向导电性：外加正向电压时，PN结导通，有较大电流流过；外加反向电压时，PN结截止，电流几乎为零。 输入端电阻对输出逻辑影响 P134 2.8(b) P136 2.4(c),(f) P137 2.5(d)(f) P138 2.7(c) P140 2.15 +VDD V SS T P1 T N1 T P2 T N2 A B Y 3. 5 TTL 集成门电路 （Transistor—Transistor Logic） 3. 5. 1 TTL 反相器 一、电路组成及工作原理 +VCC(5V) R1 uI uo 4k? A D1 T1 T2 T3 T4 D R2 1.6k? R3 1k? R4 130? Y 输入级 中间级 输出级 D1 — 保护二极管 防止输入电压过低。 当 uI - 0.5 ~ - 0.7 V 时， D1 导通， uI 被钳制在 - 0.5 ~ - 0.7 V，不可能继续下降。 1. 电路组成 因为 D1 只起保护作用，不参加逻辑判断，为了便于分析，今后在有些电路中将省去。 2. 工作原理 +VCC(5V) R1 uI uo 4k? A T1 T2 T3 T4 D R2 1.6k? R3 1k? R4 130? Y 0V T1 的基极电压无法使 T2 和 T4 的发射结导通 T1 深度饱和 T2 、 T4截止，iC1 = 0 RL 拉电流 T3 、 D 导通 0V 3.6V 0V 0.7V 0V 负载的等效电阻 iC1 5V 因为 所以 则 ① 3.3 CMOS门电路 §3.3.1 MOS管的开关特性 在CMOS集成电路中，以金属－氧化物－半导体场效应管（MOS管)作为开关器件。 一、MOS管的结构和工作原理 P N N G S D 金属铝 两个N区 SiO2绝缘层 P型衬底 导电沟道 G S D N沟道增强型 源极 栅极 漏极 vGS=0时 P N N G S D vGS vDS iD=0 D、S间相当于两个背靠背的PN结 S D B 不论D、S间有无电压，均无法导通，不能导电。 P N N G S D VDS VGS vGS VGS(th) vGS足够大时（vGSVGS(th)），形成电场G—B,把衬底中的电子吸引到上表面，除复合外，剩余的电子在上表面形成了N型层（反型层）为D、S间的导通提供了通道。 VGS(th)称为阈值电压(开启电压） 源极与衬底接在一起 N沟道 可以通过改变vGS的大小来控制iD的大小。 MOS管的四种基本类型 G S D N 沟道耗尽型 G S D N沟道增强型 G S D P 沟道增强型 G S D P 沟道耗尽型 在数字电路中，多采用增强型。 3. 3. 1 MOS 管的开关特性 (电压控制型) MOS（Mental – Oxide – Semiconductor） 金属 – 氧化物 – 半导体场效应管 一、 静态特性 1. 结构和特性： (1) N 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S 3V 4V 5V uGS = 6V iD /mA 4 2 6 4 3 2 1 0 uGS /V iD /mA 4 3 2 1 0 2 4 6 8 10 uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 UTN iD 开启电压 UTN = 2 V + - uGS + - uDS 衬 底 漏极特性 转移特性 uDS = 6V 截止区 　　P 沟道增强型 MOS 管 与 N 沟道有对偶关系。 (2) P 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S iD + - uGS + - uDS 衬 底 iD /mA iD /mA -2 -4 0 -1 -2 -3 -4 0 -10 -8 -6 -4 -2 - 3V - 4V - 5V uGS = - 6V -1 -2 -3 -4 -6 uGS /V uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 漏极特性 转移特性 截止区 UTP uDS = - 6V 开启电压 UTP = - 2 V 参考方向 2. MOS管的开关作用： (1) N 沟道增强型 MOS 管 +VDD +10V RD 20 k? B G D S uI uO +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO 开