半导体材料（张源涛）6-3、4、5.pdfVIP

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2017-07-13 发布于浙江
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第6章III-V族化合物半导体第6章III-V族化合物半导体吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第六章III-V族化合物半导体第六章III-V族化合物半导体 6-1、III-V族化合物半导体的特性 6-2、GaAs单晶的生长方法 6-3、GaAs单晶中杂质的控制 6-4、GaAs单晶的完整性 6-5、其它III-V族化合物的制备吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料中中受两施性性主性主受深能级主吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 6-3-1 GaAs 中的杂质的性质施主杂质 Ⅵ族元素（S,Se,Te ）替代As,浅施主，N型掺杂剂 O在液相外延的GaAs 中有浅施主，也有深施主能级 GaAs 中有浅受主存在时，O施主起补偿作用- 高阻（半绝缘）的GaAs材料。受主杂质 Ⅱ族元素（Be,Mg,Zn,Cd,Hg ），取代Ga,浅受主， P型掺杂剂 Zn 、Cd最常用，同时可与晶格缺陷结合生成复合体而呈现深受主能级。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料两性杂质 Ⅳ族元素（Si,Ge,Sn ）呈现两性掺杂特性。取代III族原子时是施主，取代V族原子时是受主取决于杂质的性质、浓度及材料制备过程的掺杂条件 GaAs熔体生长和气相外延生长中，GaAs满足化学计量比， IV族元素择优占据III族元素。Si是每个原子贡献一个电子的施主杂质，浓度可达1018cm-3 GaAs液相外延时，As 的蒸气压低，Ga空位被抑制， Si主要占据As的晶格点而成为受主杂质。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料中性杂质 III族（B 、Al 、In ）取代Ga V族（P 、Sb ）取代As 深能级杂质过渡元素V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,