集成电路设计基础（尹盛）04 Mos1.pptVIP

MOS逻辑集成电路 Chapter 1 导论1-1 MOSFET 这一节主要对MOSFET作一简要复习。MOSFET是一种表面场效应器件，是靠多数载流子传输电流的单极器件。 一、MOSFET的基本结构： 二、MOSFET的基本类型 电学符号 转移特性 输出特性 三、MOSFET的电流方程 ①饱和区 IDS＝±k（VGS－VT）2 条件：NMOS：VDSVGS－VT PMOS：VDSVGS－VT 即：VDS 大→饱和 VDS再增加，IDS也不变 ②非饱和区： VDS 小→非饱和 IDS＝±k［2（VGS－VT）VDS－VDS2］ 条件：NMOS：VDSVGS－VT PMOS：VDSVGS－VT 1－2 MOS IC的主要特点 一、 MOSFET的主要特点 1、MOSFET是电压控制元件－－功耗小 2、MOSFET之间自然隔离－－工艺更简单，面积可以做得更小 3、可以多层布线－－便于元件的紧凑排列和版图的布局设计 4、单元面积小－－组成基本逻辑门电路和触发器等所用的MOS管较少，因此，完成一定逻辑功能的电路所占的芯片面积小，特别适和大规模集成。 二、NMOS的特点 1、μnμp，速度快 2、VTn较低，VDD小，易于与双极型电路匹配 3、工艺复杂，问世较PMOS晚 随着工艺水平的不断提高，NMOS电路得到了广泛应用。我们也只讨论NMOS，所以除CMOS外，不再标出符号中的衬底电极 三、分析方法的特点 1、多子器件：瞬态分析时主要考虑电容的充放电，无少子存贮效应 2、压控器件：主要是电容负载问题 Chapter2 NMOS IC 倒相器是MOSIC中最基本的单元电路，输入管总是EMOS。因为EMOS在0输入下保持截止，不需要额外的电压偏置电路。前级输出电平的范围与后级要求的输入电平范围是一致的，故前后级可以直接连接，使电路简化。 2－1 MOS倒相器 一、一般形式： 二、分类： ①根据负载分类 ②按负载与输入管之间的关系分类 三、性能指标 1、输出特性： 导通时：ION，VON（VOL）； 截止时：IOFF，VOFF（VOH） 2、传输特性：输出电压与输入电压的关系 3、直流噪声容限 4、直流功耗 5、瞬态特性 6、占用芯片面积 7、工艺难度和兼容性 2－2 E/R MOS倒相器 一、输出特性 二、传输特性： 三、讨论 1、Vomax＝VDD 2、RL↑ VOL↓ 3、RL↑ 过渡区越窄 所以，RL越大越好，但占面积，故一般用MOS管作负载。下面讨论的是把RL换成MOS管的情况 2-3 饱和负载E／EMOS倒相器 一、工作原理 二、特性分析 1、输出特性： TL永远饱和：IDSL＝KL（VGSL－VTL）2＝KL（VDSL－VTL）2 ＝KL（VDD－VO－VTL）2 抛物线 导通状态：VOVDD－VTL 导通电流：ION＝KL（VDD－VTL）2＝ （VDD－VTL）×gml 导通电压：VON＝VOL＝IDSI（ron）非饱 截止状态：VOFF＝VOH＝VDD － VTL IOFF忽略 2、传输特性：讨论的是输出电压与输入电压的关系 前面由图解法已经得出电压传输曲线，要分析传输特性，实质是写出这个曲线的曲线方程。由于饱和区和非饱和区的电流方程是不同的，所以必须进行分区。由于TL总是饱和的。所以主要根据TI的饱和情况进行分区 3、直流噪容： 例题： N沟饱和负载E/E 倒相器， VDD=7v，VT=2v， βR=25， 求其逻辑摆幅VL及VOHMIN=0.9VOH，VOLMAX=0.1VOH条件下的VNML和VNMH。（不考虑衬底偏置效应）。 4、瞬态特性