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太阳电池中起因于
第卷第期 年月
５９ ４ ２０１０ ４ 物 理 学 报 Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．４，Ａｐｒｉｌ，２０１０
１０００３２９０／ ２０１０／ ５９ ０４ ／２ ７８３０６
（） ＡＣＴＡ ＰＨＹＳＩＣＡ ＳＩＮＩＣＡ ２０１０ Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ．
ＣｄＴｅ太阳电池中起因于Ｃｕ 的深能级
郑旭黎兵 王钊张东廷冯良桓张静全蔡亚平
郑家贵武莉莉李卫雷智曾广根
（四川大学材料科学与工程学院，成都 ）
６１００６４
（２００９ 年１０ 月２８ 日收到；２００９ 年１２ 月４ 日收到修改稿）
在 太阳电池中，易引入并形成深能级中心本文采用深能级瞬态谱测试法研究了 背接触和石墨背
ＣｄＴｅ Ｃｕ ． ＺｎＴｅ
接触ＣｄＴｅ太阳电池的部分深能级中心． 研究中运用密度泛函相关理论，分析闪锌矿结构ＣｄＴｅ，Ｃｄ 空位体系和掺Ｃｕ
２ ＋
体系的电子态密度，计算得出Ｔ 场和Ｃ 场下Ｃｕ ｄ轨道的分裂情况． 计算结果表明，ＣｄＴｅ太阳电池中的Ｅ ＋０２０６
ｄ ３ｖ ｖ
和 两个深中心来源于 替代 原子计算结果还表明，掺入 可降低 体系能量
ｅＶ Ｅ ＋０１２２ ｅＶ Ｃｕ Ｃｄ ． Ｃｕ ＣｄＴｅ ．
ｖ
关键词：深能级瞬态谱，第一性原理，ＣｄＴｅ，Ｃｕ 杂质
ＰＡＣＣ：７３６０Ｌ，７３２０Ａ，７１５５Ｆ
入Ｂｉ替代式杂质进行过研究．
１ 引 言 本文同时采用了实验和理论两种途径和手段
研究了替位式Ｃｕ对ＣｄＴｅ太阳电池的影响． 在实验
ＣｄＳ／ ＣｄＴｅ薄膜太阳电池理论光电转换效率高、 方面，我们采用了深能级瞬态谱（ｄｅｅｐ ｌｅｖｅｌ ｔｒａｎｓｉｅｎｔ
工艺较简单，目前是前景广阔的薄膜太阳电池之 ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ＤＬＴＳ Ｃｕ
，简记为 ）测量方法对 的深中
一． 在制备ＣｄＴｅ太阳电池的过程中，易引入Ｃｕ 等 心进行了研究． 用ＤＬＴＳ 法测量ＣｄＴｅ 膜中深中心
杂质离子，进而形成缺陷态和深能级中心，即杂质 的报道可参见文献［］；在理论研究方面，我们采用７
［，］
离子电离形成的能级位置离导带或者价带较远，并 ８ ９
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