N-N+高阻厚外延.pdfVIP

抒 7 维普资讯 ， 够 尹 } 第21枯第l期 徽 电 手 技 术 总第89期 Vn1．2i．ND，i M ICROELECTRONIC ，rECHN0L0GY 1993年2月 固 写D，p ， N一／N超高电阻率、超厚外延技术研究 秦 舒 (中国华晶电子集团公司硅材料工厂 ，无锡，214t)81) 一 、 引 言 当今世界高压功率器件迅速发展，广泛地应用于通讯、汽车制造、电器等领域，有些器 件对耐压要求已达到10004 上 世界备大公司竞楣研究开发，我国也积极组织人力、物力进 行研制，作为基础材料的超高电阻率、超厚外延层对高压功率器件的发展起着举足轻重的作 用，对它的研究开发同样不可忽视。 我公司今年对耐压IO00V的VDMOS器件进行开发，为此，我们组织了超高电阻率 (6O ～ 70Q ·til1)超厚外延 (90～】00m)技术研究，重点对滑移线、碎片及电阻率等进行分析 研究。 二、滑移线、碎片 1．产生机理 出于要求外延层厚度达到 90～10Om，这 就大大增加了外延生长的难度。如果我们把晶 体看成是 由许多薄层组成的，在外力作用下会发生弯曲，各层之闯将发生滑移，产生刃塑位 错，如图 1。在室温下硅晶体是脆性的，当 加热到700℃以上 ，才可能发生范性形变，如 目 圈 果晶体内部产生应力或在外力作用下，在范 性温度下便会产生位错。 目1 产生外应力的原因很多，如机械损伤，过大的温度梯度，急冷急热引起的热应力等。 机械损伤包括晶片上重的划伤、刻字标记和晶片边缘的缺口、裂缝等，机械损伤的应力 超过硅单晶所处温度的屈服极 限则会引入滑移、位错、机械损伤能否产生位错，与机械损伤 程度、处理的温度以及有无温度梯度有关。 热应力也会引入位错，温度梯度较大时，会在村底中引入许多位错，并会延伸到外延层 中， 入『热应力的主要原因是恶劣的热接触，加热时热损耗和热传递的不平衡，辐射时的温 梯度等。 出于生长很厚曲外延层时，生长过程中硅片与石 出现粘连，为此对石墨柑硅片接触进 ·缟辑豁收穑 日蜘：1992一i2—23 维普资讯 第1期 秦舒 N一N 超高电E睥 、超厚外延技术研究 行了研究，如图2。在硅片外延生长时，在石 墨上也生长着多晶硅，由于多晶硅的生长速率 远远超过硅片上外延层的生长速度，因此石墨 坑 的边缘和硅片边缘发生粘连。 2．实验 内容 针对 以上滑移线、碎片的产生机理，采用 以下方法来减小外应力的影响。 a，降低升、降温速率； b．选用台适的石墨坑； 园2 c．改变硅片的放置方法， d．减少边缘损伤。 3．实验结果与分析 a．降低升、降温速率 因衬底硅片在外延前未经高温过程，并且在范性温度下容易引入热应力，温度越高产生 的可能性越大，升、降温速率过快，必然在硅片上 出现温度梯度 ，所 以我们选择在850℃增加 恒温时间，降低升、降温速率，如图3。这样使硅片进入范性温度时，硅片温度均匀，减少 产生外应力的可能 。 耐越( 日 图3 外延工艺升降温变化与时旧关系 b．选用合适的 墨坑