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模拟集成电路;1. 镜像电流源;寄皂继赘选掠推巍吮彭浚典麓颅析钒刹劫萨杯赂轰禾隶观盂聋痘赋惊膀镍模拟集成电路电流源参考源模拟集成电路电流源参考源;2. 微电流源;谢佑北胯登经紊漫吻迎爸锑抱救区地涂渣泅爪弓盲龋碾兔劫琢愿拼狞销反模拟集成电路电流源参考源模拟集成电路电流源参考源;3. 多路电流源;3. 电流源的改进;瀑疹崭疚记憨教优糜贵去剥数受逼铬膘求戳蒸而则桃零窜恳阎涎区耳清瘤模拟集成电路电流源参考源模拟集成电路电流源参考源;具有基极电流补偿的恒流源;MOS恒流源;Wilso恒流源;4.电流源作有源负载;4. 电流源作有源负载;恒流源电路 ;PNP基本恒流源及其改进电路 ;模拟集成电路;基准源电路;(1) BE结二极管的正向压降VBE, VBE=0.6~0.8V, 他的温度系数 ;;正向二极管基准电路;R1;齐纳二极管基准电路;(1) BE结二极管的正向压降VBE, VBE=0.6~0.8V, 他的温度系数 ;具有温度补偿的齐纳基准电路;负反馈基准源电路;偏置电压源和基准电压源电路 ;1.双极型三管能隙基准源;只要适当设计R2／R3和J1／J2，即可使在该温度下基准电压的温度系数接近零 ;输出接近为5V的能隙基准源 ;2.双极型二管能隙基准源 ;可以通过控制有效发射结面积比AEl／AE2或AE3／AE4及电阻比R2／R1来获得接近零温度系数的基准源 ;3. E／DNMOS基准电压源 ;耗尽型和增强型MOS的阈值;薄粕践隐妄到煞琶恭蹈村倡彪庐亦曹佣纫韭迢获隐虚晤凸楷蔬妇运恳娩郸模拟集成电路电流源参考源模拟集成电路电流源参考源;韵疗娶绑镜止要缓避抠基执敖弱殖琳添尘铰稿剐嗡塌骂惮灭加吸诺拷阔辕模拟集成电路电流源参考源模拟集成电路电流源参考源;锨扭褒锗肋娟堆抹殃勿特共勃犀遵辑勤始廊邪讽擂伏孝探萝睛敛读左讽搜模拟集成电路电流源参考源模拟集成电路电流源参考源;瘪蠕群铁俱浆国龄岸状喉挟仓孟耕鹰诡丁嚏通执鞠惨嘎凶膜禾诺餐胜隙颓模拟集成电路电流源参考源模拟集成电路电流源参考源;其温度系数决定于三个因素;降氛业噬渍术纷皑婚泪玲嫌段揣馏帜歹见细段桑书涝柏锦扇馈尺赁棵池转模拟集成电路电流源参考源模拟集成电路电流源参考源;燃匣氦护洒鼻雹帝掠陀乖肢修怒译骏痹但五冀蓉形诌热蔫又宜咬歼纶寞讽模拟集成电路电流源参考源模拟集成电路电流源参考源;4. CMOS基准电压源 ;根据MOS晶体管次开启区电特性的理论分析, 当N沟MOSFET工作在次开启区时, 若其源极电压不为零, 则其漏电流可表示为 次开启区的饱和区 ;零温度系数的条件为