绪论11 简述晶圆接合之历史111 历史上的材料接合技术接合技术早 .pdf

一、緒論 1.1 簡述晶圓接合之歷史 1.1.1. 歷史上的材料接合技術 接合技術早在西元前就已經有跡可尋，古老的祖先就懂得利用冷焊(Cold welding) 來結合不同的金屬。這種技術主要是利用衝擊壓力或摩擦力來完成接合 因此又稱為塑性接合 (Plasticity bonding) 。這種接合的技術在常常被用來製作藝 術品和裝飾品，是一項非常古老的技術。之後，熔接 (Fused bonding) 亦被用來做 結合藝術品，利用熔膏熔容態的材料來結合另外兩種不同的材料，如：利用熔態 的玻璃來結合玻璃和金屬。［ 1 ］在1725 年時 J. D. Desaguliers 將兩個鉛球利用 這種冷銲技術結合在一起，結果這兩鉛球竟然有著意想不到的結合力並且將其簡 單的量化。 ［2 ］ 1.1.2. 近代材料接合於光學元件上的應用 在十七世紀時 Sir Isaac Newton (1642-1727) 將具有相同折射率的一個平透鏡 與一個凸透鏡固定在一起時，除了中間接觸點，其餘的接觸區域會有干涉現象。 ［1 ］十九世紀初期人們為瞭解光學干涉 (Optical interferometry) 一直致力於將光 學透鏡的直接接合。但是，直到1936 年Lord Rayleight 才真正針對兩光學拋光的 玻璃板接合做研究並將其強度有系統的量化［4 ］。到了二十世紀初，人們漸漸的 將注意力放在材料直接接合的接合介面上，為了就是的到一個完美並且無光學反 射的接合介面。 1.1.3. 二十世紀以來半導體接合技術的發展 二次大戰之後矽積體電路 (Integrated Circuits )蓬勃發展，當然矽晶圓接合就 慢慢的嶄露頭角，大約從 1961 年起日本的 NEC 公司、美國的貝爾實驗室(Bell Labs) 、RCA 以及荷蘭菲利浦 (Philips) 等公司都為了電子元件上的需求投入了晶 圓接合的研究。到了 1970 年代以後美國奇異 (GE) 、德國西門子 (Siemens) 以及 現在在矽製程上的先驅美國 IBM 公司也投入了許多心力研究晶圓接合。當時， 研究晶圓接合最主要的驅動力是為了製造 SOI絕緣層晶片，以製作特性更好的金 屬氧化物半導體電晶體 (MOSFETs) 。特別是美國的IBM 公司最為前瞻，當然， 研究單位對此技術的貢獻也是不惶多讓。大約 1995 年左右德國的 Max-Planck-Institute-Halle研究團隊對於晶圓接合在理論及應用上都有相當的貢 獻。 ［1 ］漸漸的不單只有矽晶圓的晶圓接合，化合物導體晶圓接合的應用上目前 - 1 - 也發展得相當完整，特別是異質材料的接合，因為這項技術翻越了異質磊晶技術 的藩籬，使得光電元件的未來道路更佳寬廣。 圖 1.1晶圓接合的歷史演進圖［ 1 ］ - 2 - 1.2 晶圓接合的機制 所謂晶圓接合就是將兩鏡面拋光的晶圓接觸在一起，屆時兩晶片會產生初期的 微弱引力使兩試片相互吸引，接觸後續施以適當的同軸應力 (Uni-axis stress) 以及 溫度使其產生更強的化學鍵結。若是兩晶圓之間不藉由任何膠 (Glue)或是中間介 質層 (Intermediate layer)接合者稱為直接晶圓接合 (Wafer-direct-bonding)或是融 合接合 (Fusion bonding) ；另一種藉由膠或是任何介質層將兩片晶圓接合者稱為中 間介質層晶圓接合 (Intermediate layer wafer bonding) 。然而，在直接晶圓接合方面 通常可