用于光电集成的InP 基HBT新结构.pdf

用于光电集成的InP 基HBT新结构1 崔海林，李轶群，王文娟 北京邮电大学，北京（100876 ） E-mail ：cuihailin@126.com 摘 要：对用于光电集成的InP 基HBT 进行了分析，讨论了几种集电区不同结构的DHBT ， 提出了一个新的集电区外延结构，既可用于光电集成，又较好地解决了SHBT 反向击穿电 压低，DHBT 有电子堆积效应的问题。同时，该结构具有外延层生长简单，集电区电子漂 移速率高等优点。 关键词：光电集成，HBT ，复合集电区 中图分类号: TN015 1. 引言 InP基异质结双极性晶体管（HBT ）有着响应速度高、功耗小等诸多优点。而且单异质 结双极性晶体管（SHBT）与PIN型光探测器相兼容。SHBT的基区与集电区与PIN探测器外 [1-3] 。但对于 延共享，易于光电集成（OEIC ），所以在光纤通信中得到了广泛的关注和研究 集电区是In0.53Ga0.47As材料的SHBT，由于In0.53Ga0.47As 的禁带很窄(0.75eV)，碰撞离化系数大， 所以SHBT的反向击穿电压都很低，一般低于3V[4],SHBT在电路中的应用因此受到了很大限 制。要解决这一问题，通常在集电区引入宽带隙InP材料，InP带隙较宽（1.35eV），碰撞离 化系数小，反向击穿电压较大。但InP集电区与In0.53Ga0.47As基区存在较大的导带不连续ΔEC （0.25eV ）,在BC结交界面电子堆积效应(electron blocking efforts)强，使基区有效电子迁移率 减少。这使得DHBT 的截止频率比SHBT的小很多。 目前克服电子的堆积效应主要采用各种掺杂和组分的能带渐变材料，但是要想克服由于 大的导带不连续性造成的电子的阻挡效应，就要求有较长的组分渐变层和高的掺杂水平。这 些不仅对器件性能的提高都不利，而且给器件的设计和制造带来困难[5][6] 。另一方面，用于 1550nm的长波长PIN探测器，需要用较厚的窄带隙InGaAs材料做吸收层。对于集电区组分渐 变的DHBT ，无法与PIN探测器外延共享，不能用于光电集成。 本文对适用于光电集成的HBT进行分析和研究，提出了一个新的结构，较好的解决了 SHBT反向击穿电压低，DHBT 电子堆积且与PIN无法外延共享的问题。同时，该结构具有外 延层生长简单，集电区漂移速率高等优点。 2. 器件物理模型 由于突变异质结界面附近能带边不连续所形成的势垒尖峰阻碍了异质结两边载流子的 交换，载流子注入机制发生了变化。此时，势垒处热载流子发射过程和穿透势垒尖峰的隧 道效应对突变异质结界面的载流子注入起决定作用[7] 。因此，本文对于载流子的输运，在 突变界面处采用热场发射模型，而对除去界面外的区域采用漂移-扩散模型。 漂移-扩散模型的基本方程为Possion 方程和电子及空穴的连续性方程： d dψ + − (ε ) =− ( − + − ) (1) q p n ND NA dx dx 1本课题得到高等学校博士学科点专项科研基金（项目编号：20020013010 ）的资助。 - 1 - d dn =− μ (ψ +ψ ) + μ (2) J n q nn n kT n dx dx