单电子晶体管电流解析模型及数值分析-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 7 (2013) 077301 单电子晶体管电流解析模型及数值分析* 1 1† 2 1 苏丽娜 顾晓峰 秦华 闫大为 1) ( 轻工过程先进控制教育部重点实验室, 江南大学电子工程系, 无锡 214122 ) 2) ( 纳米器件与应用重点实验室, 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 苏州 215123 ) ( 2012 年8 月20 日收到; 2012 年11 月5 日收到修改稿) 本文首先建立单电子晶体管的电流解析模型, 然后将蒙特卡罗法与主方程法结合进行数值分析, 研究了栅极偏 压、漏极偏压、温度与隧道结电阻等参数对器件特性的影响. 结果表明: 对于对称结, 库仑台阶随栅极偏压增大而 漂移; 漏极电压增大, 库仑振荡振幅增强, 库仑阻塞则衰减; 温度升高将导致库仑台阶和库仑振荡现象消失. 对于非 对称结, 源漏隧道结电阻比率增大, 库仑阻塞现象越明显. 关键词: 单电子晶体管, 解析模型, 蒙特卡罗法, 主方程法 PACS: 73.21.La, 73.43.Jn, 85.35.Gv DOI: 10.7498/aps.62.077301 Carlo, MC) 与主方程法(Master Equation, ME) 对器 1 引言 件进行了理论分析. 与单独采用MC 或ME 法对单 电子器件进行数值分析相比, 本文将两者有效结合, 随着集成电路芯片集成度的日益提高, 半导体 得到了精度更高、收敛更快的模拟结果. 器件特征尺寸不断缩小, 传统器件的应用受到了前 所未有的挑战. 当器件尺寸接近纳米尺度时出现的 2 器件结构与模型 量子涨落和散热等问题, 使芯片的性能和可靠性变 得非常不稳定. 量子效应对半导体器件性能的影 2.1 器件结构 1 响变得格外显著, 宏观输运理论不再适用 . 一些 新的器件模型和理论被纷纷提出, 基于量子效应的 在纳米体系中, 由于能级分立和势垒限制, 当 纳米电子器件的制作及其理论受到了越来越多的 电子进入或离开体系中, 前一个电子会对后一个电 关注2−4 . 单电子晶体管(single electron transistor, 子产生库仑排斥, 使电子不能连续地集体传输. 当 SET) 是一种基于库仑阻塞效应和单电子隧穿效应 有电流流通时, 在一定条件下会产生电流中断, 这 6 的新型纳米电子器件, 具有功耗低、灵敏度高和易 种电子单个输运的现象称为库仑阻塞现象 . 图1 于集成等优点. 由于工作原理的不同, SET 的体积 为SET 的结构示意图, SET 由源极、漏极、栅极, 可缩小到传统晶体管的 1%, 所需驱动电流也显著 以及介观尺度的量子点构成, 其中量子点又被称为 减小. 因此, 在大幅提高芯片集成度和工作速度的 库仑岛. 电子隧穿至库仑岛上时, 将引起岛上能量 5 显著变化, 导致库仑阻塞现象. 同时, 能显著降低电路的功耗 . 以SET 作为集成 电路的基本单元, 将引起电子技术的新一轮革命. SET