大面积高深宽比微结构硅片的热氧化实验研究.PDF

第 39 卷第 8 期 光电工程 Vol.39, No.8 2012 年 8 月 Opto-Electronic Engineering August, 2012 文章编号：1003-501X(2012)08-0105-06 大面积高深宽比微结构硅片的热氧化实验研究 1 1 1 2,1 1 1 罗建东 ，周 彬 ，吕文峰 ，雷耀虎 ，郭金川 ，牛憨笨 ( 1. 深圳大学 光电子学研究所 教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室，广东 深圳 518060； 2. 天津大学 精密仪器与光电工程学院，天津 300000 ) 摘要：利用大面积硅片制作 X 射线光栅和硅基微通道板等都涉及硅的热氧化工艺。热氧化使具有高深宽比微结构 的大面积硅片产生形变，严重影响了这些器件的应用。本文以 5 英寸硅片为例，研究了硅基微结构在热氧化过程 中的变形问题，定性分析了产生形变的力学因素，提出了减小形变的氧化方法。首先实验制作了具有高深宽比微 结构的硅片，采用不同的氧化方法，比较了变形的大小。结果表明，通过控制热氧化过程中的温度来控制热膨胀 系数和在热氧化过程中施加外部热塑应力等方法能够有效地减小热氧化变形量。 关键词：硅；热氧化；高深宽比；热膨胀系数；热塑性形变 中图分类号：TN305.99 文献标志码：A doi：10.3969/j.issn.1003-501X.2012.08.016 Thermal Oxidation about Big Area Silicon Wafer with High Aspect Ratio Microstructure 1 1 1 2, 1 1 1 LUO Jian-dong ，ZHOU Bin ，LÜ Wen-feng ，LEI Yao-hu ，GUO Jin-chuan ，NIU Han-ben ( 1. Key Laboratory of Optoelectronic Devices and System of Ministry of Education and Guangdong Province, Institute of Optoelectronics, Shenzhen University, Shenzhen 518060, Guangdong Province, China; 2. Institute of Precision Instrument and Optoelectronic Engineering, Tianjin University, Tianjin 300000, China ) Abstract: The fabrication of X-ray grating and silicon-based micro-channel plate on the large area silicon wafer involves the thermal oxidation of silicon which can greatly deform the wafer with microstructures of high-aspect-ratio, hindering the practical applications of the silicon-based devices. The thermal oxidation deformatio