绝缘栅双极性晶体管HM25N120IA.PDF

绝缘栅双极性晶体管 HM25N120IA 概述： IGBT既有功率MOSFET输入阻抗高、控制功率小、易于驱动、控制简单的特点，又有双极 晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的显著优点。 HM25N120IA型IGBT产品采用Field Stop Trench （FS）技术，具有较低的切换损耗、 能量高效且具有承受电流短路能力。主要用于空调、电焊机、电机控制、不间断电源（UPS ） 和逆变器。 特点： 高开关速度。 高输入阻抗、热稳定性好。 承受电流短路的时间 10μ S。 增强型抗雪崩能量。 低饱和压降：VCE(sat) = （Typ）2.0V 、Ic=25A。 产品外形和等效电路图： 外形图 等效电路图 最大额定值： 参数 符号 范围 单位 集电极-发射极击穿电压 VCES 1200 V 栅极-发射极电压 VGES ±20 V Tc=25℃ 50 A 连续集电极电流 Ic Tc=100℃ 25 A 最大脉冲集电极电流 Ic-puls 75 A 安全工作区 75 A 耗散功率 P （Tc=25℃） 227 W D 工作温度范围 TJ 150 ℃ 储存温度范围 TSTG -55～150 ℃/W 1 电参数(除非另有规定：Ta=25℃)： 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 静态参数 集电极-发射极击穿 BVCES VGE=0V , IC=1.0mA 1200 V 电压 集电极-发射极泄漏 ICES VGE=0V, VCE=1200V 250 μ A 电流 栅极-发射极泄漏电 ± IGES VCE=0V, VGE=±20V nA 流 100 阈值电压 VGE(th) VGE=VCE, IC=25mA 4.5 5.5 7.0 V VGE=15V, IC=25A 2.0 2.4 V 集电极-发射极饱和