单片机技术与实践教案_chap2.pptVIP

2.1 MCS-51单片机的片内结构1;2.2 MCS-51单片机的基本组成;2.3 MCS-51的引脚描述说明;2.3.1电源及时钟（晶振端）引脚;单片机时钟电路及CPU基本时序;与晶振端引脚有关的概念;各种周期概念详解;3、机器周期 若把一条指令执行过程分为几个基本操作，则执行每个基本操作所需要的时间，称为机器周期。单片机的一个机器周期包括12个振荡周期，分为6个S状态：S1 -S6。每个状态又分为2拍，即前面介绍的P1和P2信号；个机器周期中的12个振荡周期可表示为S1P1,S1P2,S2P1……S6P1,S6P2o ;MCS-51单片机各种周期的相互关系;2.3.2 单片机的控制引脚（复位端）;22μF C1 ? ;与复位端引脚有关的概念;EA/Vpp(31引脚):内部和外部程序存贮器选择信号 /编程电源输入端。 对8051来说，当EA为高时，CPU访问程序存贮器有两种情况： ① 地址小于4K时访问内部程序存贮器。 ② 地址大于4K时访问外部程序存贮器。 当EA接地，则不使用内部程序存贮器，不管地址大小，取指时总是访问外部程序存贮器。 片内无ROM时（8031）必须接地； 片内有ROM时应当接高电平； 对片内有EPROM（8751）编程时，编程正电源加到此端。;ALE/PROG(30引脚)：地址锁存允许信号/编程脉冲输入端。 当单片机访问外部存储器时，P0口输出的低八位地址由ALE输出的控制信号锁存到片外地址锁存器，P0口输出地址低8位后，又能与片外存储器之间传送信息。 ; 由于P0口作地址/数据复用口，那么P0口上的信息究竟是地址还是数据完全由ALE来定义，ALE高电平期间，P0口上一般出现地址信息，在ALE下降沿时，将P0口上地址信息锁存到片外地址锁存器，在ALE低电平期间P0口上一般出现指令和数据信息。平时不访问片外存贮器时，该端也以六分之一的时钟频率固定输出正脉冲。因而亦可作系统中其它芯片的时钟源。ALE可驱动8个TTL门。 对于EPROM型单片机，在EPROM编程时，此脚用于编程脉冲PROG。;PSEN(29引脚)：片外程序存储器选通信号，低有效。在寻址外部程序存储器时选通外部EPROM的读控制端（OE）。;P1.0—P1.7: 准双向I/O口（内置了上拉电阻）,输出时一切照常，仅在作输入口用时要先对其写“1”。;2;2;2;P0.0—P0.7: 双向I/O （内置场效应管上拉） 寻址外部程序存储器时分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口；不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。;2;2;2;2;P2.0—P2.7: 双向I/O （内置了上拉电阻） 寻址外部程序存储器时输出高8位地址；不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。;2;2;2;2;P3.0—P3.7: 双功能口（内置了上拉电阻） 它具有特定的第二功能。在不使用它的第二功能时它就是普通的通用准双向I/O口。;2;2;仿真教学练习5_4x4目录下： 　　　　实例体会;51单片机的8个特殊引脚;51单片机的4个8位的I/O口;P3口第二功能表;使P3端口各线处于第二功能的条件是: 1、串行I/O处于运行状态(RXD,TXD); 2、打开了外部中断(INT0,INT1); 3、定时器/计数器处于外部计数状态(T0,T1) 4、执行读写外部RAM的指令(RD,WR) 　　 在应用中,如不设定P3端口各位的第二功能(WR,RD信号的产生不用设置)，则P3端口线自动处于第一功能状态，也就是静态I／O端口的工作状态。在更多的场合是根据应用的需要，把几条端口线设置为第二功能，而另外几条端口线处于第一功能运行状态。在这种情况下，不宜对P3端口作字节操作，需采用位操作的形式。 ;程序存储器;物理上4个存储器地址空间： 片内/片外程序存储器空间 片内/片外数据存储器空间 逻辑上3个存储器地址空间： 64KB 程序存储器 256B 片内数据存储器 64KB 片外数据存储器 普林斯顿结构：程序和数据共用一个存储器逻辑空间，统一编址。 哈佛结构：程序与数据分为两个独立存储器逻辑空间，分开编址。;片内RAM;;SFR分布在80H-FFH 其中83个位可位寻址;00H;00H;00H;堆栈： 在片内RAM中，常常要指定一个专门的区域来存放某些特别的数据,它遵循顺序存取和后进先出(LIFO/FILO）的原则,这个RAM区叫堆栈。;00H;从堆栈取出数据时：取出的数据是最近放进去的一个数据，也就是当前栈顶的数据。然后SP再自动减1，仍指着栈顶……;89C51特殊功能寄存器(SFR);