CM2N65C - 深圳市晶导电子有限公司.PDF

R 深圳市晶导电子有限公司 CM2N65C ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆650V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于充电器、LED驱动、PC 辅助电源等各类功率开关电路 2．主要特点 l 开关速度快 l 通态电阻小，输入电容小 3．封装外形 TO-251 TO-252 TO-251/TO-252 4．电特性 1栅极(G)2漏极 (D) 3源极(S) 4.1极限值 除非另有规定，Tamb= 25℃ 参 数 名 称 符号 额定值 单位 漏极-源极电压 VDSS 650 V 连续漏极电流 ID 2.0 A 漏极脉冲电流 IDM 8.0 A 栅极-源极电压 VGS ±30 V 单脉冲雪崩能量 EAS 80 mJ 热阻（结到壳） RθJC 4.46 ℃/W 耗散功率(Ta=25℃) Ptot 28 W 结温 Tj 150 ℃ 贮存温度 Tstg -55～150 ℃ 4.2 电参数 除非另有规定，Tamb= 25 ℃ 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 单位 最小 典型 最大 漏源击穿电压 BV V =0V ，I =250 μA 650 V DSS GS D 通态电阻 R * V =10V ，I =1A 3.6 4.3 Ω DSON GS D 阈值电压 V （ ） V =V ，I =250