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基于肖特基接触的碳纳米管场效应晶体管 - Nano Electronic Materials
器件与技术
纳米器件与技术
Devices and Technology
Nanoelectronic Device Technology
基于肖特基接触的碳纳米管场效应晶体管
金铁凝 ,陈长鑫 ,刘晓东 ,魏良明 ,王 英 ,张亚非
( /
上海交通大学 微纳科学技术研究院 薄膜和微细技术教育部重点实验室 微米 纳米
加工技术国家级重点实验室 ,上海 )
200240
: 、 ,
摘要 由于具有独特的一维纳米结构 稳定的化学特性和优异的电学性能 单壁碳纳米管被认为
是制作高性能电子器件以及下一代纳米电路的理想 材料 ,作为 新型基础 电子元件的一 种 ,碳纳米
管场效应晶体 管一直是研究的 热 点 。研究 了一 种基 于非对称肖 特 基接触 的碳纳米管 场效应晶体
管 ,金 属钯与金 属铝分别作为电极材料 制作 出的碳纳米管场效应晶体 管分别表现出 型和 n型 的
p
导通特性 ,当这两种金 属分别作为 源 、漏 电极 制作在 单根半导体 性单壁碳纳米管的 两端时 ,便 构
成了 非对称肖特基接触 结构碳纳米管 场效应晶体 管 。器件表现出了优良的 整流特性 ,整流比达到
3 3
10,在栅压 的调控 下 ,正向 电流 的开关比接近 10。
: ; ; ; ;
关键词 碳纳米管 场效应晶体 管 肖特基势垒 二极 管 电子束光刻
中图分类号: ; 文献标识码: 文章编号: ( )
TB383 TN386.3 A 1671-4776 2013 04-0201-05
CarbonNanotubeFieldEffectTransistorsBasedonSchottk Contact
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JinTienin ChenChan xin LiuXiaodon WeiLian min Wan Yin Zhan Yafei
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