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GMR和TMR的应用 GMR : 1994，IBM推出HDR硬盘读出头， 记录密度提高了17倍，5Gb/in2 TMR: MRAM 原理：磁场控制电阻――磁敏电阻， Mott两流体模型 (1) N.H.Mott,Proc.Roy.Soc. A153,699(1936) 近似：电子与（热激发）自旋波散射可以忽略， （低于居里点） 只考虑电子与磁性离子自旋间的散射。 （s－d散射） 约定：与磁矩同方向的电子处于主要子带（majority） 相反方向自旋电子处于次要子带（minority） 两流体模型（2） 散射过程中没有自旋反转 S↑电子未被d ↑（ majority ）电子散射，对电导贡献大 （d ↑在Fermi面没有状态) S↓ 电子 被d ↓(minority )电子散射，对电导贡献小 ( d ↓有效质量太大) 结果： 电导的自旋相关因子 两流体模型（3）α测量值：Co和Ni大；Fe较小；Cu为零I.A.Cammpbell and A.Fert (1982) Mott模型和GMR效应(1) Mott模型和GMR效应（2） 按Mott模型（看上图） 1，电子自旋与所在层磁矩 相同时， s电子与（Majority）d 电子散射弱， 电子自旋与所在层磁矩 相反时， s电子与（Minority）d 电子散射强。 Mott模型和GMR效应（3） 2，如果，平均自由程 （单层厚度） 磁电阻比率 其中， 由于GMR效应极具理论和应用价值，基于“巨磁电阻”效应的数据读出头，今年的物理奖授予了用于读出硬盘数据的技术。感谢这项技术，使得硬盘在近年来迅速变得越来越小。当普通百姓多年来已经习惯于去仰视那些诺贝尔奖得主的杰出发现发明时，我们却意外地看到，今年的诺贝尔物理奖得主的获奖成果，离我们是如此之近。在我们背包中的笔记本电脑里，在我们口袋中的音乐播放器里，我们都能分享到这一伟大成果所带来的福祉。? 简单地讲就是，非常弱小的磁性变化就能导致巨大电阻变化的特殊效应。 数据读出头是巨磁电阻效应的真正受益者！ 因为有了这项效应技术使得数据读出头的灵敏程度越来越高，这样在它的可读尺度范围内，就算再弱的磁信号数据读出头也能非常清晰的以电子信息表示出来,这样磁信号的弱造就了它在磁盘上占用的空间就很小了，我们就可以存储更多的信息 基于自旋相关的Mott二流体模型可以对GMR效应进行简单唯象解释。出现巨磁电阻的唯一必要条件就是近邻磁集团中的磁矩相对取向在外磁场的作用下可以发生变化。在一定磁场下两者从平行排列到反平行排列或从反平行到平行排列，从而引起磁电阻的变化， 多层膜中相邻磁集团的尺度为纳米级，如果磁集团的相邻尺度更小，材料又会有怎样的物理特性呢？1994年以来，在类钙态矿结构Mn系氧化物Ln1-xMxMnO3（其中三价离子Ln3+ 包括，La3+，Pr3+,Na3+，及Sn3+；二价离子M2+包括碱土离子Ca2+，Sr2+和Ba2+及Pb2+）中发现无论是外延的薄膜还是单晶或多晶块状材料均有比GMR和TMR更大的磁电阻效应，称为特大磁电阻效应（CMR）。由于过渡金属阳离子大都具有未满的d壳层，因而具有固有磁矩。在金属氧化物中，阳离子因被氧离子隔离而无直接的交换作用，但可通过阳离子的激发电子态发生间接交换作用，形成磁有序结构。由于电子是局域的，因而这类磁有序氧化物具有很高的电阻率。但不难发现上述的实验事实表明，二者具有共同的特点是在一定范围磁场作用下从顺磁性或反铁磁性变为铁磁性，与此同时材料从半导体的导电性转变为金属性，从而使其电阻率产生高达数个量级的变化。可以想象，再变下去岂不是该变成超导体了！况且这类材料的结构与高温氧化物超导材料很类似，而且都有人用Jahn-Teller极化理论效应模型进行了解释。二者有怎样的联系的确值得理论和实验的进一步探讨。 IBM等公司在短短五、六年内，并于1994年推出了基于GMR效应的硬盘读出头，从而将硬盘的记录密度提高了17倍，达到5Gb/in2，由于GMR效应极具理论和应用价值1994年第二届IUPAP（International union of pure and applied physics）磁学大奖和当年的美国物理学会新材料国际大奖均授予多层膜巨磁电阻效应。， 1988年Fert等人在Fe/Cr多层膜中发现巨磁电阻效应（GMR）以来，伴随随着纳米材料科学基础和应用研究的深入，人们在许多人工有