电子显微镜讲义-2010(第12节)1.ppt

自我介绍 何本桥，湖北孝感人， 中科院化学所博士， 韩国培材大学高级访问学者， 测试中心电镜负责人 从事膜结构和性能研究 大倾斜角图像 二次电子能量低，从试样表面逸出的深度为5nm－10nm。如果产生二次电子的深度为x，逸出表面的最短距离则为：xcosθ（图c），显然，大θ角的xcosθ小，会有更多的二次电子逸出表面。不规则试样表面不同点θ角不同，SE产额也不同（ I＝K/cosθ）。 观察比较平坦的试样表面时，如果倾斜一定的角度，会得到更好的二次电子图像衬度。 在加速电压为V的电场作用下，一个静止的电子所获得的动能等于电子的总能量mc2与静止能量m0c2之差,即 eV = mc2 - m0c2 将上两式合并，在结合德布罗意公式可得 综上所述： 1. 提高加速电压，缩短电子波长，提高电镜分辨率； 2. 加速电压越高，对试样的穿透能力越大，可放宽对样品 的减薄要求。 3. 如用更厚样品，更接近样品实际情况。 4. 电子波长与可见光相比，相差105量级。 2.2 磁透镜的工作原理 可见光用玻璃透镜聚焦。 电子束在旋转对称的静电场或磁场中可起到聚焦的作用。电子束的聚焦装置是电子透镜。相应的分为：静电透镜和磁透镜。 静电透镜中强的静电场往往导致镜体中发生电击穿和弧光放电，因而目前电镜中很少使用。 １．电磁透镜的聚焦原理 透射电子显微镜中用磁场来使电子波聚焦成像的装置是电磁透镜。电磁透镜实质是一个通电的短线圈，它能造成一种轴对称的分布磁场。正电荷在磁场中运动时，受到磁场的作用力，即洛仑磁力。 对正电荷在磁场中运动时受到磁场的作用力为： ???????????????????????????????????????????? 式中， q-运动正电荷 ????? v-正电荷运动速度 ?? ???B-正电荷所在位置磁感应强度，与磁场强度H的关系：B = mH F力的方向垂直于电荷运动速度和磁感应强度所决定的平面，按矢量叉积V×B的右手法则来确定。 对电子而言，其带负电荷，F方向由B×V决定，其运动方式有如下几种情形： 1. V//B，Fe = 0, 电子在磁场中不受磁场力，运动速度大小和方向不变； 2. V┴B，Fe = Fmax，电子在与磁场垂直的平面内作匀速圆周运动； 3. V与B成θ角，电子在磁场内作螺旋运动； 4. 在轴对称的磁场中，电子在磁场内作螺旋近轴运动。 1. V//B，Fe = 0, 电子在磁场中不受磁场力，运动速度大小和方向不变； 2. V┴B，Fe = Fmax，电子在与磁场垂直的平面内作匀速圆周运动； 在此种情况下，电子所收到的Lorenz力为 F = ev0B 它的方向是垂直于v0，所以v0 数值保持不变，其法线加速度为 V02/R =F/m 则 R = mv0/eB 而运动周期为： T = 2πR/v0 = 2πm/eB 该公式说明，电子运动周期与电子的初速度无关，也就是说对于从某点初速度不同，周期也是相同。 3. V与B成θ角，电子在磁场内作螺旋运动； 如果初速度与磁场强度B斜交成θ角,则可以把它分成两个分量 V┴ = v0 sinθ vZ = v0 cosθ 在磁场作用下，垂直于磁场的分量V┴ 量值保持不变，只是改变 运动方向，即在垂直于磁场的方向做匀速圆周运动；但还存在 平行于磁场的VZ ，在平行于磁场方向作直线运动，所以电子的 最终轨迹为一螺旋运动。 螺旋的半径 R = m v0 sinθ/eB 螺距为 h = T v0 2.2 磁透镜的会聚特性 在实际的磁透镜中，是利用靠近电磁轴那部分电子束来成像的，即θ非常小，约10-2到10-3弧度，从均匀磁场中某一点P所发出的电子束，由于斜交角度θ不同，所以V┴ 不同，因而其运动轨迹投影到磁力线垂直面上就是各个半径不同的圆，但对于不同的θ的电子，经过一个周期后，前进的螺距为 h = T vZ 而 vZ = v0cosθ≈v0 h = 2πmv0/eH 因此，这说明电子在经过时间T后，都将汇聚到一点P’. 要注意的是像平面上的每一点都对应在那条力线上，而且均匀磁场中的切力线也是平行的，所以P’点与P点是大小相等，且正立的，可见放大倍数恒为1.这是长磁透镜特性。 2.2 短磁透镜的汇聚特性 在短磁透镜中，物和像都位于磁场的外面，短磁透镜除了磁场的轴向分量以外，还有磁场的径向分量。电子束的偏转是磁场分量作用的结果。 在短磁透镜中，只有线圈中心部分的磁场近似均匀，在中心区域两侧，磁力线迅速离开轴线方向，而出现很强的径向分量 2.2 磁透镜的结构 简单说，电磁透镜实质是一个通电的短线圈，它能造成一种轴对称的分布磁场。实际上