使用吉时利SMU仪器和开关系统优化功率半导体器件和模块的.PDFVIP

应用简介 使用吉时利SMU仪器和开关系统 优化功率半导体器件和模块的 可靠性测试 前言 典型的可靠性测试 为了尽量减少早期故障率，不断提高功率半导体的整 典型的可靠性测试包括，对一批或多批采样器件施加大于或等于 体可靠性和寿命，制造商和最终用途设计师们进行了各种 其正常工作电压的偏置电压数百或数千小时，同时把它们置于远远超 重要的测试。许多这些测试用JEDEC标准来概述，例如 出正常工作条件的温度中。此应力条件下，在特定的时间间隔测量各 JESD22-A108D “温度、偏置、和操作寿命”、JESD22 种关键的工作参数。一些比较流行的功率半导体可靠性测试有HTOL -A110D “高加速温度和湿度应力试验(HAST) ”、或者 （高温工作寿命）、ELFR （早期故障率）、HTFB （高温正向偏压）、 JESD236 “功率放大器模块的可靠性鉴定”。本应用简介 HTRB （高温反向偏压）、和HAST （高加速温度和湿度应力试验）。 讨论通过使用吉时利源表® 源-测量仪一体化单元（SMU） 这些测试可以使用连续的偏压（图3）或者循环的偏压（图4）。连续 仪器和开关系统（图1和图2），优化硅和宽禁带功率半导 的偏压可以是一个固定电压或阶梯斜坡电压。循环偏压通常将改变偏 体器件、模块和材料的可靠性测试的方法。 置电压的占空比和/或斜率。这两种情况下，都是连续地或者在特定 的时间间隔测试关键的器件参数。 可靠性测试挑战 当今的宽禁带功率半导体可靠性测试给工程师和测试系统设计师 们带来几个关键的挑战。最重要的是，因为大多数这些器件针对能源 效率的应用，所以与传统的硅相比，它们具有低得多的泄漏和导通电 阻规格。因此，测试仪器必须能够提供必需的精度、分辨率和稳定性， 以满足这些器件的电器要求。另外，因为宽禁带器件与硅表现出不同 的失效机理，根据JEDEC标准的有效可靠性测试需要更大的样本数量 和更长的应力持续时间，以充分预测重要的可靠性参数。这就要求测 图1.吉时利2650A系列高功率源表SMU仪器。 试仪器能够提供足够的功率来并行测试多个设备，同时保持上述的精 度和分辨率。最后，测试仪器必须能够响应与这些器件有关的高速行 为，并行产生大量与测试器件有关的数据。系统中的每个设备必须要 快，而且各个单元必须以高度同步的方式运行。 图2.吉时利3700A系列和707B系列开关系统。 1 应用简介 使用吉时利SMU仪器和开关系统优化 功率半导体器件和模块的可靠性测试 漏极电压=200V 漏极电压=1320V 每8小时+5V步进 漏极电压=50V 漏极电压=1200V