做好湘潭大学第二批大学生创新 - 湘潭大学教务处.DOCVIP

第届大学生研究性学习和创新性实验计划项目 申 报 表 项目名称 项目类别 创新训练项目 创业训练项目□ 项目主持人 学生所在学院 专业班级 指导老师 填表日期 湘 潭 大 学 教 务 处 制 项目名称: 学生姓名 专业名称 性别 学 号 阮云鹏 微电子学 男 2012700527 胡会 微电子学 女 2012700503 周欢 微电子学 女 2012700504 胡湘宜 微电子学 女 2012700502 指导教师 职称 学科专业 指导教师 金湘亮 职称 教授 学科专业 微电子学 学生曾经参与科研或创业的情况 指导教师承担科研课题情况 金湘亮教授，工学博士，博士生导师，是湘潭大学微电子与固体电子学方向学术带头人，教育部“新世纪优秀人才支持计划”获得者，美国电气及电子工程师学会IEEE会员，国际光学工程学会SPIE高级会员，中国电子学会高级会员，中国光学学会高级会员；主要从事面向生物医疗及环境芯片实验室、微机械系统及信号处理电路、高性能CMOS图像传感器关键技术研究、新型低电压混合信号集成电路设计与系统研究、3D光探测器的新理论新结构新器件的研究、太阳能电池等研究；2002年11月至12月在日本筑波大学进行合作访问研究，2009年在加拿大西安大略大学从事研究科学家(Research Scientist)职位，主要从事生物医学、生物信息学、生物分析检测及系统实现等方面的研究，2010年组建湘潭大学微光电与系统集成实验室和湘潭大学-韶光集成电路实验室, 成功开发湘潭大学第一块集成电路芯片；主持国家“十二五”重大专项、国家“863”、国家自然科学基金（含面上和重点）、教育部重点、湖南省自然科学基金重点、湖南省教育厅重点等国家、省部级重点科研任务和企业委托开发的项目共计二十余项；成功开发传感器信号处理SOC系列芯片、CMOS图像传感器系列芯片、电源管理芯片、带TVS RS485总线、高性能ESD器件、SOC传感器（UV、3D、HALL等）等芯片，产生了重大经济效益。他将在整个项目过程中提供理论知识和技术上的指导，并对实验方法和项目程序进行引导。 目前，金老师带领的课题组正在承担硅基单光子雪崩光电二极管与光学传感器阵列芯片设计项目。 项目研究和实验的目的、内容和要解决的主要问题 一、项目研究的背景 1、单光子探测技术 单光子探测是一种重要的技术，被广泛应用在天文学、生物化学和医学诊断等领域中。在天文学中，单光子探测技术可以用来探测微弱光辐射；在生物化学中，可以利用单光子探测器来研究微弱荧光现象、DNA反应和单分子探测，在医学诊断中，可以用于多聚酶链式反应和化学发光免疫诊断等技术中。 单光子探测是一种极微弱光的探测方法。由于单个光子的能量极低，用通常的检测方法很难直接把这种微弱的信号提取出来。要想观测到物质吸收单个光子后所引起的变化，必须存在相关的放大机制。利用光电效应原理，可以采用基于光电倍增管（PMT）和雪崩光电二极管的单光子探测器。 2、单光子探测实现的方法 （1）基于光电倍增管的方法 早期的单光子探测采用光电倍增管的方法。光电倍增管的商品化始于1960年，是利用外光电效应制成的具有内增益的器件。 光电倍增管的基本结构如图1所示，包括光电阴极、集电极、倍增极和阳极。图中C是光电阴极，D1、D2和D3是倍增极（或称为打拿极），A是阳极，U1至U4是极间电压，一般为几百伏。光照射在光电阴极上，光子在光电阴极被吸收，由光电效应转变为光电子。从光电阴极激发出的光电子在电场U1的加速作用下，打在第一个倍增极D1上，由于加速后，光电子能量很大，它打在倍增极上时会激发出数个二次光电子。在电场U2的作用下，二次电子又打在第二个倍增极D2上，引起一次二次电子发射。如此下去，电子流迅速倍增，最后被阳极A收集。典型的光电倍增管有8～12个倍增极，每极之间的电压为200～400V，电流增益可达104～107。 图1 光电倍增管示意图 PMT作为单光子探测器具有高增益、光敏面大和暗计数低的优点，但是它需要工作在高电压下（通常在800到1500V之间），且容易受到磁场的影响。目前，商品化的PMT响应光谱范围覆盖了紫外到近红外区，但其红外响应受到材料的限制，灵敏度不高。 （2）基于单光子雪崩二极管的方法 雪崩光电二极管是一种建立在内光电效应基础上的光电器件。雪崩光电二极管工作在反向偏压下，反向偏压越高，耗尽层中的电场强度也就越大。当耗尽层中的电场强度达到一定的程度时（材料不同，电场大小也不一样），耗尽层中的光生电子空穴对就会被电场加速，而获得巨大的动能，它们与晶格发生碰撞，就会产生新的二次电离的光生电子空穴对，新生的电子空穴对又会在电场的作用下获得足够的动能，再一次与晶格碰撞又产生更多的光