非晶矽薄膜太阳能电池之研制.pdfVIP

非晶矽薄膜太陽能電池之研製 黃勝斌 江承翰 建國科技大學電機工程 系暨研究所 sbhwa@ctu.edu.tw 摘要 本文主要研究目的是以電子迴旋共振化學氣相沈積系統(ECR-CVD)在銦錫氧化物(ITO)玻璃基板上沉積非 晶矽薄膜太陽能電池 。使用各種不同參數沉積的非晶矽薄膜 ，經由分析其光電特性 ，再製成非晶矽薄膜太陽能 電池 。在4%的SiH 濃度 、基板温度為250℃和微波功率為250W時 ，本質層非晶矽薄膜的光學能隙約為1.87eV ， 4 10 4 暗電阻ρ大於10 (Ω-cm)且光/暗電導率之比值大於10 。以AM1.5標準光源太陽能效率測量p-i-n結構非晶 D 矽薄膜太陽能電池，探討p 層摻雜以及i層厚度對開路電壓(Voc) 、短路電流(Jsc) 、填充係數(FF) 以及能量轉換效率(η) 之影響 。實驗結果顯示 ，當p 層以0.5% 的B H 摻雜 ，i 層厚度300nm時 ，可得p-i-n非晶矽薄膜太陽能電池的 2 6 Voc=0.84V 、Jsc=10.17mA/cm2 、FF=0.51 、η=4.4% 。 關鍵字 ：電子迴旋共振化學氣相沉積 、非晶矽薄膜 、太陽能電池 Abstract ： The hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) thin film solar cells are prepared on ITO glass substrate by electron cyclotron resonance chemical vapor deposition system (ECR CVD). The optoelectronic characteristics of a-Si:H deposited by different conditions were analyzed for a-Si:H thin film solar cell. Energy gap of the intrinsic a-Si:H layer deposited with SiH and H (the dilution SiH /H =4%) at substrate temperature T=250℃ and microwave power 4 2 4 2 10 4 W=250W is about 1.87eV, and the dark resistivity ρ= 10 (Ω-cm) and the photo/dark conductivityσ σ=10 . The D Ph/ D effects of dopant concentration of p-layer and thickness of i-layer on the a-Si:H solar cell open circuit voltage(Voc) 、 short-circuit current(Jsc) 、fill factor(FF) and energy conversion efficiency(η) have been investigated. The optimized a-Si:H thin film solar cell using 0.5% B H doping p-l