浙江2011年7月自学考试线性电子电路试题.DOCVIP

浙江省2011年7月自学考试线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 2．稳压管是一种特殊的二极管，它一般工作在_______状态。 3．VA的大小可用来表示晶体三极管输出特性曲线的上翘程度，其值与_______宽度有关。 4．常温下，若晶极管的ICQ=2mA，则gm=_______。 5．场效应管按结构分为结型和_______两种类型。 6．N沟道场效应管工作在变阻区时，其等效电阻与VGS有关，VGS越大，则等效电阻_______。 7．设置合适且稳定的静态工作点是保证放大器不出现_______失真的前提。 8．差动放大电路中，射极耦合电阻REE对共模信号_______。 9．串联负反馈只有在信号源内阻_______时，其反馈效果才显著。 10．负反馈放大电路中，要稳定输出电流，应引入_______负反馈。 二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．P型半导体是在本征半导体中加入以下何种物质后形成的?(　　　) A.电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素 2．当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿？(　　　) A.雪崩击穿 B.齐纳击穿 C.热击穿 D.碰撞击穿 3．衡量双极型三极管放大能力的参数是(　　　) A.ICBO B.β C.ICEO D.VBE(on) 4．三极管工作在饱和区，要求(　　　) A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结正偏，集电结反偏 C.发射结反偏，集电结正偏 D.发射结反偏，集电结反偏 5．场效应管本质上是一个(　　　) A.电流控制电流源器件 B.电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件 D.电压控制电压源器件 6．MOS场效应管的高频小信号电路模型，适合分析下列哪种情况？(　　　) A.输入信号很大 B.输出信号很大 C.输入输出信号都很大 D.输入输出信号都很小 7．差分放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益(　　　) A.增加一倍 B.为双端输入时的1/2 C.不变 D.不确定 8．共射基本放大电路中，若测得VCEQ=VCC，则可以判断三极管处在(　　　) A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 D.击穿状态 9．对于电压并联负反馈，若满足深度负反馈条件，则有(　　　) A.i=f B.i=f C.if D.if 10．希望放大器具有高的输入电阻和稳定的输出电压，应引入_______负反馈(　　　) A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联 11．P型半导体中的多数载流子是指(　　　) A.自由电子 B.空穴 C.自由电子—空穴对 D.等离子 12．若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5V，5.3V和10V，则该管一定是 (　　　) A.硅材料NPN管 B.硅材料PNP管 C.锗材料NPN管 D.锗材料PNP管 13．下列哪种情况不是场效应管的正常工作区？(　　　) A.饱和区 B.非饱和区 C.截止区 D.击穿区 14．下列哪种情况不是集成运算放大器的特点？(　　　) A.电压增益无穷大 B.输入电阻无穷大 C.输出电阻无穷大 D.共模抑制比无穷大 15．已知某负反馈放大电路的Rf=0.01，Af=10，则可断定该电路的A约为(　　　) A.10 B.11 C.12 D.13 三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分) 1．设图三(1)所示电路中，二极管为理想器件，输入电压vi由0V变化到140V，试画出电路的电压传输特性，并写出分析过程。 2．已知某晶体三极管的静态工作电流ICQ=1mA，β=50，|VA|=100V，rbb′=200Ω，试画出器件的高频混合π型等效电路图，并求其参数rb′e，gm和rce的值。 3．在图三(3)场效应管电路中，若IDSS=5mA，VGS(off)=-4V，VGSQ=-2V，求解其静态工作点IDQ、VDSQ的值。 四、分析计算题(本大题共5小题，每小题9分，共45分) 1．场效应管放大电路如图四(1)所示，已知电路参数gm=1mA/V，rds=60kΩ。 (1)计算中频电压放大倍数AV=的值； (2)设C=0.2μF，求下限截止频率fL的值。 2．在如图四(2)所示电路中，vi=10mV，已知三极管的VBE(on)=0.7V，β＝100,rbb′=0。 (1)求输入端vid和vic分量； (2)求电路的Avd=的值； (3)求Rid的值。 3．反馈放大电路如图四