第一课半导体器件.PDFVIP

第一章 半导体器件 §1、1 半导体的基础知识 自然界的各种物质就其导电性能来说，可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。 所谓半导体，顾名思义，就是它的导电能力介乎导体和绝缘体之间。 1.1.1. 本征半导体 纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料 有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个 价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联 系在一起。 共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键 的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位 为空穴，它带正电。 在外电场作用下，自由电子产生定向移动， 形成电子电流； 一般来说，共价键中的价电子不完全象绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定 的能量（如光照、升温、电磁场激发等），一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为自由电子， 将这种物理现象称作为本征激发。 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断 复合，在一定温度下达到动态平衡，载流子便维持一定数目。 温度愈高，载流子数目愈多，导电性能也就愈好。所以，温 度对半导体器件性能的影响很大。 动画演示 两种载流子 1.1.2. 掺杂半导体 相对而言，本征半导体中载流子数目极少，导电能力仍然很 低。但如果在其中掺入微量的杂质，所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强。由于掺入的杂 质不同，杂质半导体可以分为 N 型和 P 型两大类。 N 型半导体中掺入的杂质为磷或其他五价元素，磷原子在 取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，多余的第五 个价电子很容易摆脱磷原子核的束缚而成为自由电子， 于是半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子成为 多数载流子，空穴则成为少数载流子。 P 型半导体中掺入的杂质为硼或其他三价元素，硼原子在取代 原晶体结构中的原子并构成共价键时，将因缺少一个价电子而 形成一个空穴，于是半导体中的空穴数目大量增加，空穴成为 多数载流子，而自由电子则成为少数载流子。 §1、2 PN 结 1．2．1 异形半导体接触现象 在形成的 P—N 结中，由于两侧的电子和空穴的浓度相差很大，因此它们会产生扩散运动：电子 从 N 区向 P 区扩散；空穴从 P 去向 N 区扩散。因为它们都是带电粒子，它们向另一侧扩散的同 时在 N 区留下了带正电的空穴，在 P 区留下了带 负电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区，也就 是形成了电场( 自建场). 它们的形成过程如图（1），（2 ）所示 在电场的作用下，载流子将作漂移运动，它的运动 方向与扩散运动的方向相反，阻止扩散运动。电场 的强弱与扩散的程度有关，扩散的越多，电场越强， 同时对扩散运动的阻力也越大，当扩散运动与漂移 运动相等时，通过界面的载流子为0。此时，PN 结的交界区就形成一个缺少载流子的高阻区，我们 又把它称为阻挡层或耗尽层。 1．2．2 PN 结的单向导电性 1． PN 结外加正向电压 PN 结外加正向电压的接法是P 区接电源的正极，N 区接电源的负极。这时外加电压形成电场的方 向与自建场的方向相反，从而使阻挡层变窄，扩散作用大于漂移作用，多数载流子向对方区域扩 散形成正向电流，方向是从P 区指向N区。如图（1）所示 这时的 PN 结处于导通状态，它所呈现的电阻为正向电阻，正向电压越大， 电流也越大。它的关系是指数关系： 其中：ID 为流过PN结的电流，U为PN结两端的电压， U =kT/q称为温度电压当量，其中，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度，q为电子电量，在室温下 T （300K ）时U =26mv ，I 为反向饱和电流。 T S 2 ． PN 结外加反向电压 它的接法与正向相反，即P区接电源的负极，N区接电源的正极。此时的外加电压形成电场的方向 与自建场的方向相同，从而使阻挡层变宽，漂移作用大于扩散作用，少数载流子在电场的作用下， 形成漂移电流，它的方向与正向电压的方向相反，所以又称为反向电流。 因反向电流是少数载流子形成，故反向电流很小，即使反向电压再增加， 少数载流子也不会增加，反向电压也不会增加，因此它又被称为反向饱 和电流。即：I =-I