BST类铁电薄膜的最低晶化温度和自组装生长研究.pdf

1260 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 BST 类铁电薄膜的最低晶化温度和自组装生长研究 ∗ 李金隆，张 鹰，李言荣，邓新武，熊 杰 （电子科技大学微电子与固体电子学院，四川 成都 610054 ） 摘 要：利用激光分子束外延技术（LMBE ）在 换，特别适合于对薄膜的生长过程进行实时研究。 Si( 111) 、SrTiO -5 关于生长模式和生长过程的研究，国内外针对 3 （100）单晶基片上在 （10 Pa ）高真 空环境中外延生长SrTiO3 （STO ）、BaTiO3 （BTO）、 SrTiO3 薄膜的层状、岛状、SK、台阶流等生长模式与 Ba0.6Sr0.4TiO3 （BST ）铁电薄膜。通过反射高能电子 晶格失配、界面扩散、外延关系等进行了较为集中的 衍射（RHEED ）实时监测薄膜生长，并结合原子力 研究[4~6] 。关于铁电薄膜的低温生长，日本K.Shimoyama 显微镜（AFM ）分析薄膜的生长模式。根据RHEED 利用MBE 在 10－8Pa 超高真空中于370℃实现了STO 衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静 的层状生长[7] ，M.Shoji 在Si 基片上采用ECR 辅助溅 态最低晶化温度，发现STO、BTO 、BST 三种铁电薄 射法在300 ℃可以使STO 薄膜晶化，但难以控制生长 膜可以分别在280℃、330℃、340℃的低温下实现外 模式[8] 。关于模板化生长，A.Grishin 利用 PLD 制备 延层状生长。当保持BTO( 110)/Si （111）层状生长， Na0.5K0.5NbO3 铁电薄膜时，采用 X 射线衍射在小角 逐渐降低沉积速率时,发现这种层状模式中每层高度 度范围发现分数衍射峰，说明出现自组装生长的可 是由整数倍单胞堆积而成，并且随着沉积速率从 能，但未进行深入研究[9] 。 0.017nm/s 降低到0.005nm/s 时，每层高度由9 降低到 本文采用LMBE—RHEED 方法比较系统地研究 1 个BTO 单胞构成，这对由ABO3 钙钛矿材料自组装 了STO、BTO、BST 、STO/BTO 超晶格薄膜生长模式 形成纳米结构具有重要意义。 的控制和在STO （100）基片上最低晶化温度和模板 关键词：铁电薄膜；BST ；外延生长；LMBE 化生长现象。发现通过改变沉积速率和基片温度可以 中图分类号：O484.1 ；O484.5 文献标识码：A 实现对层状、岛状、SK 生长模式的控制；在研究最 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 低生长温度时，发现STO 在280 ℃、BTO 在330℃、 BST 在340 ℃时是薄膜能够实现层状晶化的最低温 1 引 言 度；在Si （111）基片上生长BTO 薄膜时发现BTO 单胞自组装层状生长现象，即每一单层是以BTO 晶 铁电薄膜材料是电子器件实现微型化、集成化、 胞的整数倍排列构成。 纳米化的重要基础，特别是针对微波器件（移相器、 谐振器、滤波器等）、红外热释电非制冷阵列和纳米 2 实 验 电子器件等的应用，因此开展BaTiO3 （BTO ）、SrTiO3 （STO ）、（Ba ，Sr ）TiO3 （BST ）等典型铁电薄膜技 采用 SrTi