定义基区中到达集电结的少子电流IpC及从发射结注入基区.pptVIP

定义：基区中到达集电结的少子电流 IpC 与从发射结注入基区的少子电流 IpE 之比， 称为 基区输运系数，记为β*，即： 由于空穴在基区的复合，使 JpC JpE 。 3.2.3 基区传输系数及电流放大系数 1)用电流密度方程求基区传输系数 用连续性方程求解基区非平衡载流子浓度 这里必须采用薄基区二极管的精确结果 ，即: pB(0) pB(x) x 0 WB 近似式，忽略基区复合 精确式，考虑基区复合 再利用近似公式： ( x 很小时），得： 根据基区输运系数的定义，得： 静态下的空穴电荷控制方程为： 2)利用电荷控制法来求β* 。 另一方面，由薄基区二极管的 近似 公式： 从上式可解出： ，代入 Jpr 中，得： B E C 0 WB JpE JpC pB(0) pB(x) x 0 WB 上式中， 即代表了少子在基区中的复合引起的电流亏损所占的比例。要减少亏损，应使WB↓，LB↑。 β＊的典型值：WB =1μm，LB =10 μm ，β＊= 0. 9950 。 3）基区渡越时间 在 期间，注入到基区的少子电荷为： 将： 代入，得： 定义：少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均时间，称为少子的 基区渡越时间，记为 。 。因此 又可表为： 注意 与 的区别如下： 的物理意义： 时间， 代表少子在单位时间内的复合几率，因而 就代表 少子在基区停留期间被复合的几率，而 则代表未复合 掉的比例，也即到达集电结的少子电流与注入基区的少子电流 4、表面复合的影响（自学） 之比。 代表少子在基区停留的平均 由 ，可得： 4）电流放大系数与亏损因子 上式中： ，称为 亏损因子。 *