.1集成电路中的晶体管及其寄生效应.pptVIP

*;第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应;2.1双极晶体管的单管结构及工作原理;图1.3.3 晶体管内部载流子运动与外部电流;1. 发射结正偏，向基区注入电子，集电结也正偏，也向基区注入电子（远小于发射区注入的电子浓度），基区电荷明显增加（存在少子存储效应），从发射极到集电极仍存在电子扩散电流，但明显下降。 2.不再存在像正向工作区一样的电流放大作用，即 不再成立。 3. 对应饱和条件的VCE值，称为饱和电压VCES，其值约为0.3V，深饱和时VCES达0.1～0.2V。 ;当VBC0 ， VBE0时，为反向工作区。工作原理类似于正向工作区，但是由于集电区的掺杂浓度低，因此其发射效率低， 很小（约0.02）。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;BJT的四种工作状态：;*;; 在模拟集成电路中，寄生PNP管截止，不起作用;简化EM模型： PN结正偏工作时，VF0，（eVF/Vt-1）≈eVF/Vt PN结反偏时，VR0，（eVR/Vt-1）≈-1 在电流叠加时只计算eVF/Vt项，可以忽略反偏电流，当全部结都反偏时，只考虑ISS项 VSC总是小于零，所以ISS（eVSC/Vt-1） ≈- ISS ≈0 ;;;;*;*;寄生PNP管对IE和IB基本上没有影响 寄生PNP管使得(-IC)减小了IS,(-IC为反向NPN管的发射极电流） ——寄生PNP管导通会导致相当大的一股反向NPN管的“发射极电流”作为无用电流IS而流入衬底;寄生PNP管对IE和IB基本上没有影响 寄生PNP管使得(-IC)减小了IS,(-IC为反向NPN管的发射极电流） ——寄生PNP管导通会导致相当大的一股反向NPN管的“发射极电流”作为无用电流IS而流入衬底;;; 提高有用电流的比值，即减小寄生PNP管的影响（减小IS）：减小aSF，增大 采用掺金工艺、埋层工艺——减小aSF 肖特基二极管(SBD)对BC进行钳位，使VBC下降0.5V，增大 ,从而使得IS下降到原来的1/50.;实际的集成晶体管中还存在着电荷储存效应和从晶体管有效区到晶体管各引出端之间的欧姆体电阻。它们对晶体管的工作产生影响，称为无源寄生效应。;*;*; 在发射结正偏时，通过发射 结的电流大部分都流向了集电极 （是少数载流子的扩散电流）， 只有很小一部分流向基极。因为 BJT存在一定的基极电阻，包括 发射区正下方基区的横向电阻（ 是一种扩展电阻）和发射区正下 方以外基区的电阻；而基极电流是在基区中横向流动的，则在扩展的基极电阻上将产生电压降，这就使得发射区正下方基区中各点的电位不一样，即在发射结边缘处的电位较高、在发射结中心处的电位较低（甚至为0）；于是，就造成发射结面上各点的电压不同（发射结周围边缘处的电压高，中心处的电压低），从而使得发射结面上各点的注入电流密度也就不同——发射结周围边缘处的电流密度大，中心处的电流密度≈0，即发射极电流基本上都集中到了发射结的周围一圈，这就是发射极电流集边效应。可见，该效应实际上是由基极电阻所引起的，所以这种效应也称为基极电阻自偏压效应。;*; 基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。因而载流子在基区复合的机会减小，所以基极电流Ib随集电极反偏电压增大而减小，也就是基区有效电导减小.;*;*;以上计算中忽略了以下几点：;;*;*;rB1的计算 WE 、LE ：发射区宽度和长度 RSB1:内基区的薄层电阻，查图可求。 rB2的计算 WE-B：发射极到基极的距离 RSB:基区扩散层的薄层电阻。 rB3的计算 欧姆接触，远小于前面两个，忽略 ;*;2.3.2集成NPN晶体管中的寄生电容; PN结势垒电容Cj; 扩散电容CD引起的问题： 在集成晶体管中，当VBC正偏时，其CDC比较大，这将影响数字集成电路的速度。为了减小CDC的影响，要设法减小集电结正偏时的可动少子存储的电荷，可以采用的措施有： 采用低电阻率的薄外延层 减少管芯面积 将晶体管控制在浅饱和STTL状态 采用集电极掺金 增加复合中心以降低少子的寿命 采用防止集电极正偏的ECL电路; 集成电路中PNP管的特点： 单管性能下降（β小，特征频率fT低）、但与 NPN 管构成复和管就能弥补它的缺陷,使用了PNP管使电路的性能得到了很大改善。也促使了I2L电路得实现 分类： 横向PNP管 基区扩散 外延层 纵向PNP管（衬低 PNP管） 基区扩散、外延层、衬底 集电极接地;2.4.1横向PNP管;P; 一般情况下PNP管工作在放大状态，集电极反偏