3．2 APD半导体光电检测器的主要特性 - Read.PDF

兰州大学研究生学位论文 的光电二极管的截止频率 (本征响应带宽或所能检测到的信号带宽)为 0.44 九二二二止二 (3.6) 丁0 目前，InGaAs-PIN的带宽可达20GHz. ③ 对PIN来说光生载流子的扩散时间对响应时间影响很小 3.1.5线性饱和 线性饱和是指光电二极管有一定的功率检测范围，当入射光功率强时，光生电流和 光功率将不成正比，产生非线性失真。PNI当入射光功率低于毫瓦量级时不会发生饱和. 3.1.6暗电流及表面漏电流 无光照时，PNI作为一种PN结器件，在反向偏压下也有反向电流流过，此电流即为 暗电流。 表面汤电流是由于器件表面物理特性不完善和加有偏置电压引起的，它可以通过合 理的设计，良好的结构和严格的工艺来降低。 3.1.7噪声特性 光电二极管的噪声包括量子嗓声、暗电流噪声、漏电流嗓声和负载电阻的热噪声， 除负载电阻的热噪声外，其它都为散弹嗓声。散弹嗓声的概率密度分布为泊松分布，为 简化计算，把其概率密度分布近似为高斯分布。散弹噪声是由于带电粒子产生和运动的 随机性导致电流波动引起的。它是一种具有均匀频谱的白噪声，其功率谱密度与平均电 流强度IP成正比 di,(t) ·2q[, (3.乃 df 在带宽B.内的量子噪声为 《i,(t)一2g7,B; (3.8) 一般将暗电流和漏电流的散弹噪声合称为暗电流噪声，暗电流噪声的均方值可表为: ib(t)-2q(D+IL)B. (3.9) 其中:ID和Ii.分别为暗电流和漏电流的平均值。 3.2APD半导体光电检测器的主要特性 APD利用载流子在高场区的碰撞电离形成雪崩倍增效应，使检测灵敏度大大提高。 APD的雪崩增益随偏压的提高而增大，但偏压的增大导致其引入的噪声加大，因此应选 兰州大学研究生学位论文 择合适的偏压120,21。其常用技术指标有: 3.2.1APD的雪崩倍增因子 APD的雪崩倍增因子M定义为 M-lyo (3.10) Ip 式中Ip是APD的平均初级光生电流;IPO是APD平均输出电流。 3.2.2APD的噪声特性 APD的噪声包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声、负载电阻的热噪声和倍增噪 声。倍增噪声是APD中的主要噪声。APD倍增因子是一个统计平均的概念，它是一个复 杂的随机函数，表示为M《，因此 M-M (3.11) 由于倍增噪声的存在，在倍增过程中，信号功率被放大M2倍的同时，初级光生电 流的散弹噪声被放大了M2F倍。F称为过剩噪声因子。通常F可表示为 F一Mx (3.12) 其中:x称为过剩噪声指数，可以用它反映不同材料的APD的过剩噪声大小。对于Si:x 值为0.3到0.5;Ge:x为0.6到1.0;InGaAsP:x为0.5到0.7.在APD中，漏电梳IL不被 倍增，而暗电流ID则随初级光电流倍增。IL和In的散弹噪声为 is(j)·Y(IDM2F+IL)B. (3