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激光直写方法制作透明导电金属网栅 - 光子学报
31 10 Vol3 1 No10
2002 10 A CT A PH OT ONI CA SINI CA O ctober 2002
李凤友 卢振武 谢永军 曹召良 高劲松 孙连春 赵晶丽
( , 130022)
介绍了利用激光直写光刻 术在200mm 200mm 基片上制作线宽为5m , 周期为
350m 的红外透明导电金属网栅的工艺过程, 对激光直写光刻 术和机械刻划掩模接触光
刻制作金属网栅结构的两种方法进行了比较, 给出了激光直写制作金属网栅的优点
激光直写光刻; 掩模; 金属网栅; 电磁屏蔽
0
, ,
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,
1 2
, ,
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1~ 10m2 SiO2
, , ,
350m7m , 95 % , ,
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5% , ,
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1
20 90 ,
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3
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