激光直写方法制作透明导电金属网栅 - 光子学报.PDF

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激光直写方法制作透明导电金属网栅 - 光子学报

31 10 Vol3 1 No10 2002 10 A CT A PH OT ONI CA SINI CA O ctober 2002 李凤友 卢振武 谢永军 曹召良 高劲松 孙连春 赵晶丽 ( , 130022) 介绍了利用激光直写光刻 术在200mm 200mm 基片上制作线宽为5m , 周期为 350m 的红外透明导电金属网栅的工艺过程, 对激光直写光刻 术和机械刻划掩模接触光 刻制作金属网栅结构的两种方法进行了比较, 给出了激光直写制作金属网栅的优点 激光直写光刻; 掩模; 金属网栅; 电磁屏蔽 0 , , , , , , 1 2 , , , , , , , 1~ 10m2 SiO2 , , , 350m7m , 95 % , , 90% , , , , , , , , , , , , , , 0 2m , , 5% , , , 1 20 90 , , 3 , , ,

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