h2-2异质结-金属-半导体接触.pdfVIP

下载本文档

3
0
约6.5万字
约 81页
2017-09-09 发布于湖北
举报
版权申诉

h2-2异质结-金属-半导体接触.pdf

1、本文档共81页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

ch2-2异质结-金属-半导体接触

2.2 异质结 2.2 异质结在两种不同的半导体材料之间形在两种不同的半导体材料之间形成的结--外延技术成的结--外延技术形成异质结的两种材料通常有不同的能隙宽度Eg和介电常数  。形成异质结的两种材料通常有不同的能隙宽度Eg和介电常数  。异质结界面异质结界面 E EC C E EC C E Ef f E EV V E EV V 主要器件: 主要器件: 导电类型相同同型异质导电类型相同同型异质发光二级管发光二级管激光器激光器导电类型不同异型异质导电类型不同异型异质光电探测器光电探测器太阳电池太阳电池主要内容: 基本器件模型 (能带结构和电输运) 主要内容: 基本器件模型 (能带结构和电输运) 器件制备、特点、超晶格结构器件制备、特点、超晶格结构 (2) 一. 基本器件模型一. 基本器件模型 Anderson 异质结能带模型理想突变异质结的能带模型 Anderson 异质结能带模型理想突变异质结的能带模型假设两种材料晶格结构、晶格常数、热膨胀系数假设两种材料晶格结构、晶格常数、热膨胀系数相同，忽略悬键的产生和界面态。相同，忽略悬键的产生和界面态。能够初步解释部分异质结的输运过程能够初步解释部分异质结的输运过程 (3) 几个概念几个概念从费米能级将一个电子移到刚巧在该种材料功函数 q 从费米能级将一个电子移到刚巧在该种材料功函数 qm m 之外的一个位置(真空能级)所需的能量之外的一个位置(真空能级)所需的能量从导带底将一个电子移到刚巧在该种材料之电子亲合能q  从导带底将一个电子