LED发光效率演进动向.PPT

從磊晶看LED發光效率 郭政達 e-mail: max_kuo@.tw Outline LED照明未來預估與市場規模 高功率磊晶技術發展解析 LED發光效率演進動向 Market Demand Luminaire Efficiency 2006 Luminaire Efficiency 2006 Nichia’s white LED EQE(68%) Luminaire Efficiency Lighting Market Only Performance Summary Application White LED Performance Improvement Optical Efficiency Outline LED照明未來預估與市場規模 高功率磊晶技術發展解析 LED發光效率演進動向 磊晶機台簡介 MOCVD製程上膜形成過程 (i)反應氣體或反應元素因熱裂解由邊界層(boundary layer)向基板表面輸送氣相擴散，入射原子衝撞基板，一部分被反射，其他吸附於基板上。 (ii)基板表面吸附表面擴散，吸附原子於基板表面上擴散，產生原子間之二次衝撞而形成團簇(cluster,原子集合體)，或只在表面上停留某段時間後，再度蒸發解析脫離。 (iii)表面反應，核形成團簇反覆與表面擴散原子衝撞或以單原子再釋出，而當原子數超過某一臨界值後開始成長，與鄰接之團簇聚合而成連續膜，大多為三維團簇，但以二維團簇方式成長情形也有。 (iv)反應生成物之蒸發解析脫離。 (v) 脫離之反應生成物向外擴散（out diffusion)(氣相擴散)。 MOCVD反應原理 何謂MOCVD Ⅲ 族的(CH3)3Ga TMGa (三甲基鎵) 、(CH3)3In TMIn (三甲基銦)等，與Ⅴ族特殊氣體如：AsH3 (arsine) 砷化氫、PH3 (phosphine)磷化氫、NH3等，通過特殊載體氣流送到高溫的GaAs晶片、人造藍寶石等晶片上，在Reactor反應器內的高溫下，這些材料發生化學反應，並使反應物沉積在晶片上，而得到磊晶片上形成一層半導體結晶膜，這樣就能做成半導體發光材料，如發光二極體等 基本化學式： 四元TMGa(g) + AsH3(g) → GaAs(s) +CH4(g) 藍光TMGa(g) + NH3(g) → GaN(s)+CH4(g)+N2(g)+H2(g) MOCVD技術與機台的設計，應用,延伸問題包涵多種學問與原理： 物理、化學、數學、流體力學、熱力學、機械力學、材料學及電磁學等等 Recipe x MOCVD機台 = 磊晶結果 MOCVD設備及系統 MOCVD Reactors – the market Principle of MOCVD MOCVD growth MOCVD Growth Criteria Thickness uniformity Composition uniformity Doping concentration uniformity Clean wafer surface On wafer uniformity Wafer to wafer uniformity Run to run stability (reproducibility) Less maintenance (high through-put) Light Extraction Efficiency Geometry Effect Efficiency Droop Problem (IQE) Recombination Mechanisms Defect Density Piezoeletric Field Effect p-MQW LED n-p-n LED Polarization Effect Polarization Effect Outline LED照明未來預估與市場規模 高功率磊晶技術發展解析 LED發光效率演進動向 LED發光效率演進動向 Market pull lm/W→ lm/packaged → lm/$ 200 mA/mm2 → 350 mA/mm2 →700 mA/mm2 → 2000 mA/mm2 What will happen @ 2 A/mm2? Current density Heat dispersion Package issue Current Uniformity – 1 Current Uniformity – 2 Thermal Efficiency Chip Level Improvement Thermal Resistance Model Heat Spreading Dreams Come Tr