碳纳米管场发射平板显示技术分析.pdfVIP

硕士学位论丈 、1^SrER S r}fFSIS 摘要 本文从理论和实验两个方面对碳纳米管场发射平板显示技术进行 了初步研究。在理论上研究了碳纳米管管径、管长、尤其是碳纳米管 阵列密度对场发射性能，特别是对电场增强因子的影响。通过计算发 现，当碳纳米管阵列间距为碳纳米管管径的4至5倍时，电场增强因 子达到最大；同时碳纳米管管径越小，电场增强因子越大。在实验上 采用CVD生长法和涂覆法制备了碳纳米管阵列场发射阴极薄膜，并 分别进行了场发射显示实验，观察到了点状和大片连续发光现象。在 采用涂覆法制备碳纳米管场发射阴极时，发现当碳纳米管与有机胶混 合比例合适时效果最佳，这与理论分析结果一致。 关键词：场发射平板显示技术碳纳米管阵列 电场增强因予 硕士学位论丈 ⑧Ⅵ^SfERS T}iE、I! Abstract Thethesis conductedan oncarbon—nanotube study elementary —planer—display emission the technique．Thecharacteristics，especially electricfield have enhancementcarbonnanotube been factor,of arrays wasfound electricfield theoretically．Itthatthe enhancement analyzed to factorcalneits when betweentwo maximumtheinterval adjacent 4 nanotubesinthe distributedwasaboutto5timestheradius evenly array the ofnanotubeandthesmallertheradiusofthe field nanotube，the larger nanotubehave enhancementfactor．Meanwhilethinfilmsofcarbon arrays beenfabricatedmeansofbothCVDand were by methods，which paste as