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66从VD～ID关系讨论饱和区电流。 67从MOS有效沟长调制说明IDS随VDS增加而增大原因？ 5－7思考题 1试说明双极管结构特点？ 2试从双极管简化模型说明其偏置情况？ 4试画出正常偏置时能带情况？ 5试说明双极管的“注入效应”与“收集效应“？ 6双极管中注入与收集同时起作用的条件是如何？ 10从双极与MOS对比说明为何双极是电流器件，MOS是电压器件？ 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 5-5 MOSFET基本原理 5-5-1 基本特性 5-5-2 MOSFET的线性压 5-5-3 线性区电流讨论 5-5-1 基本特性 1.偏置： 当栅极无外加偏压时源到漏栅电极之间可视为两个背对背相接的PN结，而由源极流向漏极的电流有反向漏电流。 当外加一足够大的正电压于栅极上时，MOS结构均将被反型，以致形成沟道（反型层建立）源栅和漏栅通过栅级电压的变化来加以调节。 5-5-1 基本特性 2 .沟道在VD,VG作用下变化情况 栅及施加一偏压，并使半导体表面反型, 若在漏极加一小电压, 电子将会由原极经沟道流向漏极(电流由漏→流) 5-5-1 基本特性 沟道的作用如同电阻 如图所示： VGVT ID与VD呈线性 耗尽层 ID VD 5-5-1 基本特性 当漏极电压持续增加，达到VDSST ，导电沟道从O-L逐渐变窄，到y＝L处，沟道宽度减小至零——这种现象为沟道夹断，沟道夹断发生的点为夹断点，此时电压为VDSST。 P点 IDSST VDSST 5-5-1 基本特性 夹断之后，ID基本不变，当VDVDSST时,夹断点左移,但夹断电压保持不变,从漏到源的ID不变,主要变化就是L的缩短,即L=L’ 5-5-1 基本特性 L’ 5-5-2线性区 1.? 线性区的假设 主要假设 (1)? 忽略源极和漏极体电阻和电极接触电阻 (2)? 沟道掺杂均匀 (3)?? 载流子在反型层中的迁移率为固定值 (4)? 仅考虑源场电流 (5)?长沟道近似和渐进沟道近似，垂直电场和水平电场互相独立 ? 5-5-2线性压 εx---垂直反型层 均匀的电场可看作 εy---产生漏源电流 内在电势可写作： 5-5-2线性区 2.线性区的电流公式： 5-5-2线性区 y=0→y=L V=0 →V=VD 5-5-3 线性区电流讨论 1.耗尽层宽度与体电荷QB 在临界反型之前，耗尽层的宽度xdm最大 由xdm所对应的体电荷QB 5-5-3 线性区电流讨论 2.QB与沟道电压有关，有影响 代入电流式，然后积分 原始电流式，非消化式 5-5-3 线性区电流讨论 3.电流式比较 由图说明简与非简是有区别的 简化对电流设计应用方便 对线性区的电流进行对比 ①在MOS工作的线性区，简与非简式渐靠近 ②简化电流较偏大，电压值较地靠非正饱和区差距过大 ③简化式对电流设计应用方便 非简 简 简 非简 复习思考题 第一章 1试画出金属及半导体相对真空能级的能带图，并标出有关电势符号加以说明？ 2当金属－半导体紧密接触以后，如何建立统一的费米能级Ef？ 说明Фb＝Φm－Χs的物理意义是什么？ 3什么是“肖特基势垒”？写出其表达式？它是对什么区域电子而言？ 4金属－半导体结的正偏如何？ 5金属－半导体结的反偏特性如何？ 6肖特基势垒qΦb是金半结什么偏置下建立的？ 11写出金半的正偏、反偏及总的电流表达式？ 12什么是SBD二极管？有何特点？举例IC及高频方面的应用？ 13什么是欧姆接触（非整流的MS结）？ 14画出N型半导体或P型半导体形成欧姆接触能带图，并作说明。 15为什么说实际欧姆接触仅是一种近似？电流机制是什么？ 16获得良好的欧姆接触的工艺措施是什么？ 17SBD二极管“周边效应”有何影响？ 18 SBD二极管的改进结构如何？ 第二章 1什么是PN结？什么是平衡PN结？ 2画出平衡PN结的能带图，并说明PN结平衡的标志是什么？ 3平衡结的空间电荷区是如何建立的，作图说明。 4作图说明PN结空间电荷区中的电荷分布情况。 5泊松方程是描述什么情况？ 6PN结P型中性区和N型中性区中的电势表达式如何？ 7试推导平衡PN结的自建