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图21 n阱结构寄生的场晶体管的剖面图。 图22 使用衬底偏压调整阈值电压 图23 在0.15μm CMOS场效应晶体管工艺中的阈值电压下跌特性 短沟道效应Vth roll-off 图24 短沟道效应中电荷共享模型示意图 图25 在不同沟道长度，沿n沟道MOSFET沟道的表面电势推算值。源极与沟道的边界定为y = 0，点线代表施加低漏极电压（0.05 V），实线代表施加高漏极电压（1.5 V）。氧化层厚度d与衬底掺杂NA分别为10 nm与1016 cm-3。衬底偏压为0伏特。 短沟道效应DIBL 图26 （a）长沟道与（b）短沟道MOSFET的亚域值特性 图27 n沟道MOSFET 在VDS ＝ 0.1、1与4 V时的亚域值特性 图28 CMOS反相器 图29 Ip与In为Vout的函数。Ip与In（圆点）的截距为CMOS反相器的稳态工作点。曲线是依输入电压来标示：0 = Vino Vin1 Vin2 Vin3 Vin4 = VDD。 CMOS反相器工作原理 图30 CMOS反相器的转移特性。标示为A，B，C与D的点与图29相对应。 图31 使用p 阱技术制作的CMOS反相器的剖面图 n+ n+ P V=Isub*R Vd Latch-up 效应原理图 图32 图31的p 阱结构的等效电路 CMOS反相器工作原理2 图33 避免闩锁可利用重掺杂外延衬底 图34 典型的a-Si:H TFT结构 图35 a-Si:H TFT的亚域值特性（L/Z=10/60μm)场效应载流子迁移率为0.23 cm2/V.s 图36 多晶硅TFT结构。 图 37 SOI CMOS的剖面图。 图38 n沟道SOI MOSFET的输出kink-off特性:热载流子效应 图 39 DRAM存储单元的基本结构 DRAM存储单元 图 40 CMOS SRAM存储单元的结构图。T1与T2为负载晶体管（p沟道），T3与T4为驱动晶体管（n沟道），T5与T6为寻址晶体管（n沟道） SRAM存储单元 图41 非挥发性半导体存储器17。（a） 浮栅极非挥发性存储器，（b） 非挥发性存储器的等效电路。 FLASH存储单元 图42 （a）n沟道浮栅极非挥发性存储器的热电子注入，（b）单电子存储单元18。 单电子器件单元 图43 （a）VMOS，（b）UMOS与（c）DMOS功率器件结构 第七章金半接触和MESFET 平面工艺所制作的金半接触的透视图。 金半接触的一维结构 可控硅器件的主要应用 P+ Anode N+ N+ Cathode Rn P Substrate N well x Y Rp OXIDE 闩锁-Effect 第五章中几个关键参量总结（PNP） 1、集、射电流构成： Iep承载的是通过eb结的有效载流子（少子扩散），其占Ie的比率为发射系数；Icp是Iep通过基区后的剩余量（二者比率是传输系数）； Iep通过基区过程中一部分与Ib中的部分电子复合，一部分与Icn中的部分电子复合；Ib和Icn中剩余电子进入发射极构成Ien; 公式9，10 2、发射效率、基区输运系数、共基电流增益 例一、例二（公式31、31a） 3、基区宽度：短二极管 4、基极电流Ib=Ie-Ic 5、共射电流增益（公式35，37） 6、漏电流（例3） 7、HBT的电流增益（设基区输运系数为1） 公式49，例四 第六章 MOSFET及相关器件 MOS二极管示意图 图1（a）MOS二极管的透视图，（b）MOS二极管的剖面图 图2 V=0 时理想MOS二极管的能带图 图3 (a)积累时， (b)耗尽时以及 (c)反型时的 理想MOS二极管的能带图及电荷分布 图4 p 型半导体表面的能带图 图5 强反型情形下硅与砷化镓（GaAs）的最大耗尽区宽度对杂质浓度的关系 图6 （a）理想MOS二极管的能带图， （b）反型时的电荷分布情形， （c）电场分布， （d）电势分布 图7 （a）高频MOS C-V图显示其近似部份（虚线），插图为串联的电容器， （b）C-V图的频率效应 图8 铝、n+及p+多晶硅栅极材料的功函数差为衬底杂质浓度的函数 图9 （a）独立金属与独立半导体间夹一氧化物的能带图，（b）热平衡下的MOS二极管的能带图。 图10 热二氧化硅中的相关电荷 图11 （a）VG = 0情形下，（b）平带条件下，氧化层中片电荷的影响2 图12 MOS二极管中固定氧化层电荷与界面陷阱对C-V 特性的影响 图13三相电荷耦合器件的剖面图4，（a）高电压加于 （b） 加更高电压，以使电荷输运。 MOS电容小结 1、由绝缘介质层电容和PN结电容串联 2、