Nb_2O_5掺杂量对ZnO压敏电阻器性能的影响_杨小妮.pdfVIP

第31 卷 第1 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.31 No.1 2012 年1 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Jan. 2012 研究与 试 制 Nb O 掺杂量对ZnO 压敏电阻器性能的影响 2 5 杨小妮，傅 刚，陈 环，翟旺建，刘志宇 （广州大学 物理与电子工程学院，广东 广州 510006） 摘要: 通过掺杂微量 Nb2O5 制备了 ZnO 压敏电阻器，运用扫描电子显微镜（SEM ）和电性能测试手段分析了 Nb O 掺杂对 ZnO 压敏电阻器微观结构和电性能的影响，测量了晶界势垒高度 φ ，并探讨了其对ZnO 压敏电阻器 2 5 H 性能的影响。结果表明：掺杂适量的 Nb O 可以明显改善 ZnO 压敏电阻器的微观结构和电性能；当 Nb O 的掺杂 2 5 2 5 量为摩尔分数 0.10%时，所制 ZnO 压敏电阻器的晶粒尺寸最大，且压敏电压 V 、非线性系数 α和 φ 值分别为 174 1mA H V ，30 和 0.463 eV。 关键词: ZnO ；Nb O ；压敏电阻；晶界势垒高度 2 5 中图分类号: TN604 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2012 ）01-0020-04 Effects of Nb O doping on the properties of ZnO varistors 2 5 YANG Xiaoni, FU Gang, CHEN Huan, ZHAI Wangjian, LIU Zhiyu (School of Physics and Electronic Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, China) Abstract: ZnO varistors were prepared by doping micro-Nb O . The effects of Nb O doping on the microstructures 2 5 2 5 and electrical properties of prepared ZnO varistors were analyzed by SEM and electrical measurements. The barrier height of grain boundary (φ ) was measured and the effects of φ on the properties of ZnO varistors were investigated. The results