ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂-许毓春.pdfVIP

ZnO Effect of Monovalent Metallic Ionic Dopant on Electrical Characteristics of ZnO Varistor Ceramic 许毓春　李慧峰　王礼琼　王士良 (, ,430074) 　 　 　 Xu Yuchun Li Huifeng Wang Liqiong Wang Shiliang ( Department of Solid State lectronics Huazhong University of Science, and Technology Wuhan, , 430074, China) 　　本文研究了一价金属离子掺杂对 ZnO压敏 陶瓷电性 的影响。 根据晶界的双 Schottky势垒模 1　　　 型分析计算了 ZnO 晶柱表层 15nm 浅范围的正电荷 中心浓度 N 对 ZnO压敏陶瓷小电流区非线性特性 D 、 、 ZnO ZnO Bi Co 的影响。 结果表明 ND 减小,非线性增强。 如果掺入 Mn、 Sb、 Cr, ZnO压敏陶瓷中的一价金属离子进入了 ZnO 晶粒体 。 内对正电中心进行补偿,则会使大电流区的非线性变 -, - = α I V I CV 差。 , α 80～ 100。 ZnO 　　　　 ,,, ABSTRACT　 The present paper investigates the ef- ,、、、 fect of monovalent metallic ionic dopant on electrical 、、 characteristics of ZnO varistor ceramic According to. 。 the double Schottky barrier model in the grain , , boundary, the effects of concentration N of positive D charged center at ZnO grain surface of as shadow as [1] 。 15 nm on nonlinear characteristics of ZnO varistor ce- 3+ 3+ 3+ 4+ 5+ 、 、 、 、 Al In Ga Si Nb ZnO ramic in the prebreakdow n region are analyzed. The 、 results show that the nonlinear characteristics are im- 。 ZnO proved with the decrement of ND. The compensati