稀土氧化物掺杂对ZnO_Bi_2O_3系压敏陶瓷导电过程的影响.pdfVIP

稀土氧化物掺杂对ZnO_Bi_2O_3系压敏陶瓷导电过程的影响.pdf

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年第 期 总第 期 2010 4 ( 236 ) 电 瓷 避 雷 器 No4. 2010 (Ser.№.236) 年 月 Insulators and Surge Arresters 2010 8 Aug. 2010 文章编号: ( ) 1003-8337 2010 04-0020-03 稀土氧化物掺杂对ZnO-Bi O 系压敏陶瓷 2 3 导电过程的影响 1 2 成鹏飞 王玉平 , 西安工程大学理学院 西安 西安高压电器研究院有限责任公司 西安 (1. , 710048 ; 2. , 710077 ) 摘 要 掺杂稀土氧化物可改变 晶粒的尺寸 从而改变了等效偏析层的厚度 并分析 : ZnO , , 了偏析层在导电过程中的作用 发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制 而稀土氧化物 。 , 掺杂后 由于晶粒尺寸的下降 试样的导电过程转变为界面态能级控制 因此对于 Ce O 、 Y O , , 。 2 3 2 3 多掺杂体系或小晶粒体系 应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响 , 。 关键词 压敏陶瓷 晶粒尺寸 导电过程 温度特性 介电特性 : ZnO ; ; ; ; 中图分类号: TM28 文章标识码: A The Influence of Rare-earth Oxides on Conduction Process of ZnO Varistor Ceramics 1 2 CHENG Peng-fei , WANG Yu-ping (1. School of Science, Xi′an Polytechnic Univ

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