AMR磁感测器设计.PDFVIP

AMR 磁感測器設計 國立台灣師範大學物理系 盧志權 一、前言 測量磁場有很多不同的方法，而每種方法都有其局限性，表1標示不同量測磁場的方法 與實用範圍；感應線圈的靈敏度僅次於SQUID且具有最大的應用範圍，可惜體積過於龐大(因 為靈敏度與線圈匝數密度成正比)、SQUID需要低温及應用環境大窄。在各種磁測元件中磁電 阻效應的低階應用如磁解碼器、位置和角度的測量與定位、加速度與力量監控等在相關市場 中最具規模及不需要複雜技術。 表 1.1 不同種類磁感器的磁特性與操作範圍比較。 Sensor type: min. B max. B Frequency range Drawback Induction coils 100 fT unlimited 0.1 mHz – 1 MHz Too big Hall sensors 10 nT 20 T 0 – 100 MHz Low sensitivity Magneto resistive Sensors 100 pT 100 mT 0 – 100 MHz medium Fluxgates 10 pT 1 mT 0 – 100 MHz Too big, low field application SQUID 5 fT 1000 nT 0 – 100 kHz Low temperature, Ultra Low field application 磁電阻(Magneto resistivity )效應是 1987與88年間由於巨磁電阻(GMR)，其 材料的電導特性可經由外加磁埸改變，最有 敏度遠起過Hall與AMR的效應，這個發現很 名的例子是Hall效應，可是其磁電阻變化率 快便用於磁感測器上；如IBM在1994 年間把 -3 -6 非常低(低靈敏度)，約為10 ~10 %/Oe。若 GMR 用在硬碟的讀取頭上，這使得硬碟的容 選用磁性合金材料如鐵鈷、鎳鐵等，它們的 量在短短數年內從 50MB 增加到現今 300GB 磁電阻變化率可高達3.7%，這種較大的磁電 以上。當然要達更高的容量時，記錄媒體要 阻變化與Hall效應不同，後者是電子在物質 過渡到垂直磁化，這時候讀取頭便需要用更 中運動時受羅倫茲力(Lorentzian force)偏 靈敏的TMR 或其他的選擇了。一個新現象上 折所引起。磁性合金具有較高磁電阻變化是 的發現，只要應用簡單、明瞭，很快便能用 由 於 電 子 自 旋 與 軌 道 角 動 量 藕 合 於高科技及增加產業的附加價值。如GMR的 (spin-orbital coupling)效應產生，這效應 發現。自動化與遠程監察是大未來，因此感 的 強 弱 跟 電 流 (i) 及 磁 化 強 度 測器會是一個很可觀市場，國內的廠商不會 (Magnetization, M)的相對方向有關，所以 沒有興趣，只是就技術面而言不知如何下手。 稱異向性磁電阻 (Anisotropic Magneto 雖然 GMR 與穿隧磁電阻(TMR)效應的基 Resistivity, AMR)。 本原理不同，但其感測與製程技術都非常類 似，GMR 與 TMR 是磁性多層膜，其各層厚度 會訊 51 期 APR 2010 ‧1 ‧ 只有