第五章电压型传感器3.pptVIP

5.4 光电式传感器 图5-4-2 光电倍增管的结构及电路 图5-4-3 电子能级示意图 图5-4-4 光敏电阻基本电路 图5-4-8 PN结光生伏特效应原理图 图5-4-6 光敏二极管基本电路 图5-4-7 光敏三极管基本电路 图5-4-9 光电池应用电路 图5-4-11 光谱特性曲线 图5-4-11 光谱特性曲线 图5-4-11 光谱特性曲线 图5-4-12 伏安特性曲线 图5-4-12 伏安特性曲线 图5-4-12 伏安特性曲线 图5-4-12 伏安特性曲线 图5-4-14 温度变化对元件特性的影响 5.4.3 光电传感器的基本组成和类型 图5-4-15 光电传感器的基本组成 图5-4-16 透射式光电传感器 图5-4-17 反射式光电传感器 图5-4-18 辐射式光电传感器 图5-4-19 遮挡式光电传感器 （3）光敏电阻 图5-4-10 光电特性和光照特性曲线 灵敏度高，光照特性为非线性，不适宜做测量元件，在自动控制中多用做开关元件。 光电池的开路电压与照度成非线性关系，在照度2000lx照射下就趋向饱和，与光强成对数关系; （4）硅光电池 短路电流（外接负载电阻相对于光电池的内阻很小时的电流）与照度成线性关系，且受照结面越大，电流越大; 负载愈小，光电流与照度之间的线性关系愈好，且线性范围愈宽。 光电池光照特性 光电池光照与负载的关系 当光电池作为测量元件时，应以电流源的形式来使用，即利用短路电流与光照度的线性关系。 （5）光敏二极管 图5-4-10 光电特性和光照特性曲线 硅光敏二极管的光照特性线性较好，适合做检测元件。 为了增加灵敏度，目前有一种雪崩光敏二极管。 雪崩光敏二极管是利用PN结当反向偏压接近击穿时，发生载流子碰撞雪崩电离获得光生载流子倍增的器件。 （6）光敏三极管 图5-4-10 光电特性和光照特性曲线 硅光敏三极管的光照特性曲线在弱光时电流增长缓慢； 采用较小的发射区面积，能提高弱光时的发射结电流密度而使起始时增长变快，有利于弱光的检测。 二、光谱特性 光谱特性：光电流与入射光波长的关系I=F(λ) （1）真空管和光电倍增管 真空管和光电倍增管对应的最大灵敏度的波长各不相同，选择使用时应使其最大灵敏度在需要测定的光谱范围内。 光敏电阻灵敏度与入射波长有关; 光敏电阻灵敏度与半导体掺杂的材料有关。 （2）光敏电阻 材料与相对灵敏度峰位波长例图： 硫化镉（CdS） 0.3～0.8(μm) 硫化铅（PbS） 1.0～3.5(μm) 锑化铟（InSb） 1.0～7.3(μm) 硫化铅光敏电阻在较宽的光谱范围内有较高的灵敏度 图5-4-11 光谱特性曲线 （3）光电池 光电池对不同波长的光灵敏度不同。 硅光电池的光谱响应峰值在0.8μm附近，波长范围0.4～1.2μm。硅光电池可在很宽的波长范围内应用。 硒光电池光谱响应峰值在0.5μm附近, 波长范围0.38～0.75μm，在可见光谱范围内有较高的灵敏度，它适宜测量可见光。 硅光敏晶体管，当入射波长＞900nm时，响应下降，因波长长，光子能量小于禁带宽度，不产生电子——空穴对； （4）光敏晶体管 当入射波长＜900nm时，响应也逐渐下降，波长短 的光穿透深度小，使光电流减小。 硅光敏二极管光谱响应 光敏晶极管光谱响应 结论： ①各种光电元件的光谱特性都与制造的材料有关，而且还与制造工艺有关； ②不同的材料有不同的红限频率，小于红限频率就不会产生光电效应； ③各种敏感材料对于不同波长的灵敏度不一样； ④每一种材料只对某一种波长的灵敏度最高。 所以： ①当光电器件的光谱特性与光源辐射能量的光谱分布协调一致时，光电传感器的性能较好，效率较高。 ②在检测时，光电器件的最佳灵敏度最好在需要测量的波长处。 三、伏安特性 伏安特性：在给定的光通量或照度下，光电流I与光电器件两端电压U的关系即I=F(U) 伏安特性曲线的意义：帮助我们计算选择光电元件的负载电阻，设计整个线路。 （1）真空管和光电倍增管 与晶体管伏安特性曲线相似 （2）光敏电阻 光敏电阻所加电压愈高，光电流愈大，且无饱和现象。 其最高使用电压由它的耗散功率决定； 其主要优点之一是积分灵敏度较高。 光敏电阻伏安特性 （3）光电池 负载电阻短接或很小时，负载线垂直或接近于垂直，此时与各条特性曲线交点等距离，电流正比于照度，数值较大。 负载电阻增大时，交点的距离不等即电流不与照度成正比，光照特性不是直线，电流减小。 光敏三极管和二极管的