第五章电压型传感器4.pptVIP

5.5 霍尔传感器 5.5.1 霍尔效应 5.2.2 霍尔传感器组成与基本特性 图5-5-2 霍尔元件的结构和符号 图5-5-3 霍尔电压的基本测量电路 图5-5-4 霍尔元件的输出电路 图5-5-5 霍尔元件输出叠加连接方式 图5-5-5 霍尔元件输出叠加连接方式 图5-5-6 霍尔式位移传感器原理示意图 5.5.3 霍尔传感器的应用 5.5.4 测量误差及其补偿办法 图5-5-10 不等位电压补偿原理 图5-5-11 恒流源温度补偿电路 图5-5-12 恒压源温度补偿电路 图5-5-13 采用热敏元件的温度误差补偿电路 图5-5-14 桥路补偿电路 第五章 作 业 P139 5-1 5-7 5-9 5-12 5-17 5-20 * * 把一个导体（半导体薄片）两端通以控制电流I，在薄片垂直方向施加磁感强度B的磁场，在薄片的另外两侧会产生一个与控制电流I和磁场强度B的乘积成比例的电动势UH。这种现象称霍尔效应。 相应的电势UH称为霍尔电势，导体或半导体薄片称为霍尔片或霍尔元件。 利用霍尔效应实现磁电转换的传感器。 霍尔效应的产生是由于电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。 图5-5-1 霍尔效应原理图 每个电子受洛仑兹力作用被推向导体的另一侧，这样在基片两侧面间建立起静电场，电子又受到电场力F的作用： 洛伦兹力： 当F=F时，电子积累处于动态平衡 如图：长为l，宽为b，厚度为d的N型半导体薄片（霍尔基片），沿基片长度通以电流I（激励电流或控制电流），在垂直于半导体薄片平面方向加磁场B，则半导体中载流子电子受到洛仑兹力F的作用。 电子电荷量 半导体中电子运动速度 静电场的电场强度 基片宽度两侧面间由于电荷积累形成的电位差UH，称为霍尔电势，它与霍尔电场强度EH的关系为： 流过基片的电流称为激励电流或控制电流，假设分布均匀，则有： 所以有: RH：霍尔系数，由材料性质决定的常数，对N型半导体有： N型半导体载流子浓度 霍尔电势表达式: 霍尔元件的灵敏度 激励电流 磁感应强度 对P型半导体有： 令： 由上式可见，厚度d越小，霍尔灵敏度 KH 越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米。 一、霍尔元件 组成：霍尔元件、激励电源、测量电路及产生某种具有磁场特性的装置。 组成：霍尔片、引线和壳体。 图b为霍尔元件在电路中的两种符号表示 霍尔片：是一块半导体薄片，多采用N型半导体。 引线：激励电极（短边端面）引线11′、霍尔电极（长边端面）引线22′。 封装外壳:陶瓷或环氧树脂 二、电路部分 传感器中的基本电路如图所示： RP调节激励电流的大小 UE提供激励电流（直流交流均可） RL霍尔元件输出端负载电阻，可以是显示仪表或放大电路的输入电阻 1. 基本电路 2. 霍尔元件的输出电路 霍尔元件在实际使用时必须加差分放大器（霍尔电势一般在毫伏级） 霍尔元件有两种使用方式：线性测量和开关状态。 3. 输出叠加连接方式 为了增加输出的霍尔电压或功率，在直流激励的情况下，可采用图a的叠加连接方式； 控制电流端并联。 RP1、RP2:调节两个元件的输出霍尔电势。 AB端输出电势为单块的2倍。 在交流激励的情况下，可采用图b的连接方式； 控制电流端串联,各元件输出端接输出变压器的初级绕组，变压器的次级便有霍尔电势信号叠加值输出。 X轴零点位于两磁钢正中间 由极性相反、磁场强度相同的两个磁钢构成一种能产生梯度磁场的磁系统。 三、磁路部分 用于非电量测量的霍尔传感器，通常是通过弹性元件和其他传动机构将待测非电量（力、压力、应变和加速度等）转换为霍尔元件在磁场中的微小位移。 为了获得霍尔电压随位移变化的线性关系，传感器的磁场应具有均匀的梯度变化的特性。 当放置在两磁钢气隙中的霍尔片沿x方向移动时，若控制电流I保持不变，则霍尔电势为： 霍尔元件在梯度磁场中移动时，如保持激励电流I恒定，则霍尔电压就只取决于它在磁场中的位移量 且磁场梯度越大，灵敏度越高，梯度变化越均匀，霍尔电压与位移的关系越接近于线性。 利用这一原理可测量微位移和可转换为微位移的其他量（压力、加速度、振动等）。 四、基本特性 1.霍尔传感器的灵敏度和线性度主要取决于磁路系统和霍尔元件的特性，即磁场梯度的大小和均匀性、霍尔元件的材料几何尺寸、电极的位置与宽度等。 2.提高磁场的磁感应强度B和增大激励电流I，也可获得较大的霍尔电势。但I的增大受到元件发热的限制。 3.霍尔传感器的可动部分只有霍尔元件，而霍尔元件具有小型、坚固、结构简单、无触点、磁电转换惯性小等特点，所以霍尔传感器动态性能好，只有在105