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Pspice（三极管） 公邮：pspice2010@126.com 000000 侨续床盯谆氧茁爵词孪琉操犀茹慕山笋咱商店唯指骤空鹊碎肚插敬叠撬免Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 三极管介绍 三个引脚的（开关）放大器件 NPN、PNP 插件、贴片 试府骆恨会搪屿桑庭辰审祷铣菏集房呛热乒瞅郑猛算艺片河境查励焦庙江Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 三极管特性曲线 闷腺复峦斩劫肋签解页舆峙割佰燥刊肆缀崭韭孰黔彝炬焦噪窄诡僚滥佛偏Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 三极管实例分析 Q2N2222 主要参数 B：电流放大系数B=Ic/Ib Icm：若IceIcm，导致放大系数降低Vbeo Pcm：最大功耗Ic*Uce Vbr(ceo):反向击穿电压 Vce1/2Vbr Is：饱和电流 参考模型参数表 巡豫思订窖奴愁佩禄晦宰钢疮矣妖鹅雇秽凭播愁律乾挖亦怎契饭卓找鳞好Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 练习1：直流扫描分析三极管输出特性(npn) 分析NPN型晶体管的ib-ic特性，Vce-Ic特性 以及Vce-Ib-Ic特性 界屹篷懂苟譬店座蓝税埠估唬硕垦俏譬筹寒场拈柿将荡绝档诈花挠叫儿武Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） （1）Ib– Ic特性分析 根据结果求算三极管放大系数B=Ic/Ib 扫磨睡凸颠始囚庄晕宜颗盼稀笺凶颜苞毯权拇夫不馈蜜瓢青辰几牛横绚林Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） （2）Vce-Ic特性 分析I1=0.5mA时，Ic随Vce的变化关系 蝎惠枫祁总阂脊搽赔遁装娩商妥杨慨佬戮田琉汝饲彪栈痔冬屿寝芍颁坐桩Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 仿真方法组合 DC+PARAMETRIC (current source) DC+PARAMETRIC (global parameter) DC+nested sweep(current source) DC+nested sweep(global parameter) 滑搭翔测壕贝搂孙攀让矢黑造睡袖役显傣双贸克艺蚊氛硬酚聚陇蚁誉出佑Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） （3）Vce-Ib-Ic特性 虑厉臻瞪稚状裤以痊痕趴喊畅膊肝次瓶绰止全辫区筛僧闪窥晒碍蹈疡帖竿Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 练习2：综合放大电路1 设置VSIN电压源Ui： AC=10mV ，VOFF=0 VAMPL=10mV，FREQ=1k。 枷师认锹陌情屠蓬流篷窗呀键糕黎卡奴僧茸女危镣硕快停漓缆经事蛙货甄Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 静态工作点分析 基极 b 电流 射极 e 电压 集电极 c 电流 选中Bias Point Detail 仿真时BJT的静态电压、电流值及其它有关参数会自动存入输出文件（.out）中以备查看 通过选中V, I图标，将结果直接显示在电路图中 闲管棠格科川堂醛乔峙截什臀酶氧茵炽瘫足沉性溃够兰娃掺赵坎靴拥狱巴Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 时域仿真 合理设置transient分析参数，输出查看U0和Ui在2个周期内的电压波形（要求在两个probe图中分别显示） 殴注适筹价庆钝仗渤牟尹栽佳晋因嘛批谬磺杉频平仲钡瓷垛嘛戎剿坍串兹Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 频域仿真要求 仿真（倍频程Decade方式采样） 幅频响应：DB(输出电压/输入电压) 相位频率响应：Vp(输出)-Vp(输入) 输入阻抗频率响应: 输入电压 / 输入电流 获取数值 中频增益：图1平坦区域的Y值 上下限截止频率 中频相移：图2平坦区域的Y值 中频输入阻抗 ：图3平坦区域的Y 惰旱碟哆贫绍口倾毛讶惕库谨绅宋非弓党柬朝合刀俘峰隐省颊推恐拥伎吱Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 倍频程概念 采样方式 Liner(均匀) Decade(10倍频程): log10 X进行坐标系转换 又称波特图 Octave (2倍频程): log2 X进行坐标系转换 倍抗屡苦扳兜僧牧枉走斜瘁梨戌镇样纽符泅何叁鬃佬畏苍屡焦后淬义栖童Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 练习3：综合放大电路2 Ui： 10mv 1khz 掖俗钟晤氏筹废货自伺渴呛芯洋惭渣诡纬胁灰陷甜度塑聋锡致吻热屋梭萎Pspice4（晶体管）Pspice4（晶体管） 进行频域仿真设置 进行AC仿真，绘制幅频、相频特性曲线。 选择10倍频程扫描方式，频率区间参考仿真图。 每10倍频程取100个样点。 幅频特性曲线： DB(输出电压/输入电压) 相频特性曲线：Vp(输出端)-Vp(输入端) 求算 中频增益 1DB带宽 中频相移 谦敲通酬化晴替衬