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第七章 半导体 磁敏传感器;简 介;7.1 霍尔传感器 ;7.1.1 霍尔效应;图7-1 霍尔效应;所以，霍尔电压UH可表示为 UH = EH b = vBb (7-3);流过霍尔元件的电流为 I = dQ / dt = bdvnq 得： v =I / nqbd (7-4) ;设; 霍尔电压的大小决定于载流体中电子的运动速度，它随载流体材料的不同而不同。料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征，即在单位电场强度作用下，载流子的平均速度值。即;比较得;② 霍尔电压UH与材料的性质有关。;7.1.2 霍尔元件的构造及测量电路;霍尔片是一块半导体单晶薄片(一般为4mm×2mm×0.1mm)，它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。;2 测量电路;7.1.3 霍尔元件的技术参数;4.霍尔温度系数α 在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率。;5.内阻温度系数β 霍尔元件在无磁场及工作温度范围内，温度每变化1℃时，输入电阻与输出电阻变化的百分率。; 不等位电压是由于元件输出极焊接不对称、厚薄不均匀以及两个输出极接触不良等原因造成的，可以通过桥路平衡的原理加以补偿。如图所示， 因此当控制电流I流过元件时，即使磁场强度B等于零，在霍尔电极上仍有电势存在，该电势就称为不等位电势。;图7-4 不等位电势;几种常用补偿方法;2. 温度误差及补偿; 图中，内阻和霍尔电压都用相对比率表示。我们把温度每变化1℃时，霍尔元件输入电阻或输出电阻的相对变化率称为内阻温度系数，用β表示。把温度每变化1℃时，霍尔电压的相对变化率称为霍尔电压温度系数，用α表示。 ;(1)利用输入回路串联电阻进行补偿;元件霍尔系数和输入内阻与温度之间的关系式为：;对上式求温度的导数，可得增量表达式：;（2）利用输出回路的负载进行补偿; 在温度影响下，元件输出电阻和电势变为：;求解 得：;当负载电阻比霍尔元件输出电阻大得多时，输出电阻变化对霍尔电压输出的影响很小。在这种情况下，只考虑在输入端进行补偿即可。 若采用恒流源，输入电阻随温度变化而引起的控制电流的变化极小，从而减少了输入端的温度影响。;对于温度系数大的半导体材料常使用。 霍尔输出随温度升高而下降，只要能使控制电流随温度升高而上升，就能进行补偿。例如在输入回路串入热敏电阻，当温度上升时其阻值下降，从而使控制电流上升。;（b）输出回路补偿 ;（5） 利用补偿电桥进行补偿;7.2 集成霍尔传感器;7.2.1 开关型集成霍尔传感器;7.2.2 线性集成霍尔传感器;例 霍尔位移传感器;将霍尔元件置于磁场中，左半部磁场方向向上，右半部磁场方向向下，从 a端通人电流I，根据霍尔效应，左半部产生霍尔电势VH1，右半部产生露尔电势VH2，其方向相反。因此，c、d两端电势为VH1—VH2。如果霍尔元件在初始位置时VH1=VH2，则输出为零；当改变磁极系统与霍尔元件的相对位置时，即可得到输出电压，其大小正比于位移量。; 式中：k是位移传感器的输出灵敏度。 将积分后得： UH=kx 说明，霍尔电势与位移量成线性关系。霍尔电势的极性反映了元件位移的方向。磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度越好。;霍尔式压力传感器;这类霍尔压力传感器是把压力先转换成位移后，再应用霍尔电势与位移关系测量压力。