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霍尔传感器结构和工作原理
霍尔传感器结构及工作原理
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霍尔传感器结构及工作原理
一、工作原理
...若在如图所示的金属或半导体薄片两端通以控制电流 I,在与薄片方向上施加磁感应强度为 B 的磁场,那么在垂直于电流和磁场方向的薄片的另两侧会产生电动势 ,的大小正比于控制电流 I 和磁感应强度 B,这一现象称为霍尔效应,利用霍尔效应制成的传感元件称霍尔传感器。
霍尔电势
霍尔系数 ,
...式中 为载流体的电阻率, 为载流子的迁移率,半导体材料(尤其是 N 型半导体)电阻率较大,载流子迁移率很高,因而可以获得很大的霍尔系数,适于制造霍尔传感器。
若磁场方向与元件平面成一角度 时,则作用在元件上的有效磁场是其法线方向的分量,即 ,则有
...当控制电流的方向或磁场方向改变时,输出电势的方向也将改变,若电流和磁场同时改变方向时,霍尔电势方向不变。
霍尔电势的大小正比于控制电流 I 和磁感应强度 B,
.. 灵敏度 表示在单位磁感应强度和单位控制电流时输出霍尔电势的大小,一般要求越大越好,元件的厚度 越薄, 越大,所以霍尔元件的厚度都很薄。
..当载流材料和几何尺寸确定后,霍尔电势的大小只和控制电流 I 和磁感应强度 B 有关,因此霍尔传感器可用来探测磁场和电流,由此可测量压力、振动等。
二、 结构及其特性分析
〔 1 〕材料与结构
、
利用霍尔效应原理工作的半导体器件称霍尔元件。材料的电阻率 和电子迁移率 越大,霍尔系数 越大,输出的 越大,为了提高霍尔灵敏度,要求材料的霍尔系数 尽可能的大。元件的厚度 越小, 越大 也越大,所以霍尔元件的厚度要小,但 太小会使元件的输入、输出电阻增加。
霍尔元件常用的半导体材料有 N 型硅( Si )、N型锗(Ge)、锑化铟(InSb )、砷化铟( InAs )、砷化镓( GaAs )等。
...霍尔元件在电路中可用两种符号表示,如上图所示。
〔 2 〕 主要技术参数
.①灵敏度 :指元件在单位磁感应强度和单位控制电流下所得到的开路霍尔电压。
②输入电阻 :指元件的两控制极之间的等效电阻。
③输出电阻 :指两个霍尔电极之间的等效电阻。
④不等位电势 :在额定控制电流作用下,无外加磁场时,由于材料电阻率的不均匀,两个电极不在同一等位面上,霍尔元件的厚度不均匀等原因,在两霍尔电极之间的空载电势。要完全消除霍尔元件的不等位电势很困难,一般要求 。
⑤不等位电阻:不等位电势与额定控制电流之比。
⑥寄生直流电势 :无外加磁场时,交流控制电流通过霍尔元件而在两霍尔 电极间产生的直流电势。是由电极与霍尔片之间的非完全欧姆接触而产生的整流效 应引起的。
⑦感应零电势:无控制电流,霍尔元件在交流或脉动磁场中会有电势输出,这 个输出就是感应零电势,产生感应零电势的原因是由于霍尔电极引线布置不合理而造成的。
3 〕电磁特性
霍尔元件的电磁特性包括控制电流(直流式交流)与输出之间的关系,霍尔输出与磁场(恒定或交变)之间的关系,元件的输入或输出电阻与磁场之间的关系等特性。
① 特性
在磁场和环境温度一定时,霍尔输出电势 与控制电流 之间呈线性关系,如图 6-5 〔 a 〕所示,直线的斜率称为控制电流灵敏度,用 表示
....6-11
由式 6-11 和 6-9 可以得到
6-12
② 特性
当控制电流一定时,霍尔元件的开路输出随磁感应强度的增加并不是完全成线性关系,只有当磁感应强度 B小于 时, 的线性度才比较好,
③ 特性
特性是指霍尔元件的输入(或输出)电阻与磁场之间的关系,霍尔元件的内阻随磁场的绝对值增加而增大,这种现象称磁阻效应。霍尔元件的磁阻效应使霍尔输出降低,尤其在强磁场时,输出降低较多,应想办法予以补偿
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