氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响.PDFVIP

维普资讯 第 19卷 第 1期 液 晶 与 显 示 、’o1．19．NO．1 2004年 2月 ChinesejournalofLiquidCrystalsandDisplays Feb．+200{ 文章编号 ：1007—278O(2OO4)01—000l一04 氧化对 GaN基 LED透明电极接触特性的影响 秦志新，陈志忠，于彤军，张昊翔，胡晓东，杨志坚，李忠辉 ，张国义 (北京大学 物理学院介观物理实验室，北京 100871，E-mail；zxqin@pku．edu．cn) 摘 要 ：研究了热退火对 InGaN／GaN多量子阱LED的Ni／Au-p-GaN欧姆接触 的影响。发现 在空气和 N 气氛 中交替地进行热退火的过程中Ni／Au接触特性显示 出可逆现象。Ni／Au．p_ GaN接触 的串联 电阻在空气中随合金化时间逐渐减小。在随后 的 Nz中的热退火后会使该 串 联 电阻增加 ，但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复。同时对 Ni／Au—p-GaN接触在空 气中合金化过程中的层反转 的成因进行 了讨论 。 关 键 词 ：氮化镓基 LED；欧姆接触 ；氧化 中图分类号 ：TN141；TN312．8 文献标识码 ：A 垒高度 (SBH )的降低 ，球状的 Au粒在 NiO介 1 引 言 质中形成类似金属陶瓷的导 电层 ，从而使得接触 电阻显著降低。但也有文献报道 NiO并不起降 目前 ，GaN基半导体发光二极管 (LED)的 低 SBH 的作用[4]。本文通过研究在不同气氛下 研究 已取得许多成果并正逐步转入产业化生产 。 的合金化对接触特性 的影响，探讨 了 Ni／Au—P— 但是 ，不论是研究还是产业化生产都面临一些难 GaN欧姆接触的形成机制。由于在 LED的工艺 题。性能良好 的 LED需要有 良好 的欧姆接触 。 中需要对 n、P电极在不同气氛下合金，对 Ni／Au 制作氮化镓基 LED的一个难题是不容易得到足 接触产生不 同的影响，因此 ，本研究对 LED的制 够高浓度的P型载流子浓度，由于 Mg掺杂激活 作工艺非常重要。 的困难 ，P型载流子浓度通常小于 5×10cm一， 加之可供选择的较大功函数 的金属材料非常有 2 实 验 限，所以在 P型氮化镓上制作欧姆接触 电极工艺 是很困难的。为了减小 P型接触电阻在正向偏 样品是在 InGaN／GaN多量子 阱蓝光 LED 压 中的分压 ，目前市售的蓝光 LED基本上使用大 外延片上采用 电子束蒸发蒸镀 电极得到。In— 面积的P电极 ，而为了满足正面出光的要求 ，P GaN／GaN多量子 阱蓝光 LED外延 片样 品是采 电极做得很薄，所 以这样 的 P电极也 叫透 明电 用 MOCVD法生长。因为对 于 n型 GaN较易得 极 。通常采用蒸镀透明电极后再合金 的方法 ，通 到欧姆接触 ，因此 LED管芯 20mA(工作电流) 过采用透明电极达到扩展注入电流，降低 LED正 的正向偏压 ( )反映了P型 GaN接触电阻的大 向工作 电压，使 LED表面均匀发光的 目的。 小。样 品的图形结构如 图 1所示 。P型 GaN层 对制作 GaN基 LED 的P电极常用