pmos场效应晶体管脉冲x射线辐照效应 radiation effects of pmosfet irradiated by pulse x-ray.pdfVIP

第28 卷 第2 期 核 技 术 Vol. 28, No.2 2005 年2 月 NUCLEAR TECHNIQUES February 2005 PMOS 场效应晶体管脉冲X 射线辐照效应 靳 涛 ( 中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐 830011 ) 杨志安 杨祖慎 ( 新疆大学物理系 乌鲁木齐 830004 ) 姚育娟 罗伊虹 ( 西北核技术研究所 西安 710024 ) 摘要 根据 P 沟道金属氧化物场效应晶体管 ( PMOSFET ) 在低能脉冲 X 射线辐照下的实验结果、结合 PMOSFET 实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理。 关键词 脉冲X 射线，场效应晶体管，辐射效应 中图分类号 O472.1 目前，采用不同栅厚和不同偏置的P 沟道金属 1.2 辐照实验方法和条件 氧化物场效应晶体管( PMOSFET ) 已发展成为一种 新型的辐射剂量计，它在一般的辐射场中能较好地 辐照实验在西北核技术研究所进行。强X 光源 满足剂量测量的需要，特别适用于空间辐射环境电 为低能强流脉冲相对论电子束加速器 ( 闪光 2 离总剂量的测试[1—3] 。但在强脉冲辐射场中， 号) [4] 。辐照时样品贴在加速器钨靶的有机玻璃隔离 PMOSFET 的辐射损伤及其能量响应特性尚未深入 板上，板厚度为28.5 mm 。PMOSFET 的辐照和阈 研究。该探测器是否可以作为强辐射环境中的辐射 电压测量分步进行。阈电压的测量采用 HEWIETT 剂量计有待进一步实验探索。本工作根据 PACKARD4156A 精密半导体参数分析仪测量。辐 PMOSFET 阈电压漂移与吸收剂量具有较好的响应 照样品同时还用4 个热释光CaF2 · Mn 剂量片紧密 关系的事实，使用两种不同电路结构的 PMOSFET 排布在PMOSFET 样品四周，辐照完后离线进行剂 在脉冲强X 光辐射条件下，进行了剂量测量和电离 量测试。经过量热计刻度过的热释光剂量仪测量不 辐照效应的实验。分析了在强辐射场中 PMOSFET 确定度在 10%之内[5] 。本实验X 射线辐射场参数和 的剂量响应特性和电离损伤机理。 热释光测量数据见表1。 表1 实验测量剂量参数 1 实验方法和剂量计算 Table 1 Experimental parameters 1.1 样品制备 管电压Tube voltage 1 MV 本实验 PMOSFET 样品由骊山微电子公司制 辐射能Radiation energy 16 kJ 备。采用相同的非辐射加固氧化工艺制作，栅氧厚 脉冲宽度Pulse width 80 ns 度分别为150 nm，带栅保护二极管和不带栅保护二 吸收剂量( Si ) Absorbed dose 0.69 Gy 极管两种电路结构的PM