半导体桥对含能材料的点火特性研究 ignition properties of energetic material by semiconductor bridge.pdfVIP

半导体桥对含能材料的点火特性研究 391 文章编号：1006—9941(2012)04—0391一06 半导体桥对含能材料的点火特性研究 杨贵丽，朱顺官，沈瑞琪 (南京理工大学化工学院．江苏南京210094) 摘要：在10 铅(PbN。)所组成的发火件进行了实验研究，根据发火件的电特性变化和发火现象发现半导体桥存在电热发火、电爆发火和等离子 LTNR的燃速高。 关键词：军事化学与烟火技术；半导体桥；发火药剂；临界发火电压；发火时间 2．04．002 中图分类号：TJ450 文献标识码：A DoI：10．3969／j．issn．1006—9941．201 示波器采集不同激励电压时发火件的电压、电流和电 1 引 言 阻信号，分析发火件的发火现象，得出SCB的发火原 理，利用D一最优化法测试不同发火件的50％发火电 半导体桥(以下简称SCB)作为以电能输入的第 压，得出影响SCB发火能量的因素。 三代火工品已经得到广泛应用，于1968年由美国的 Hollander发明…，美国圣迪亚实验室对其进行了研 2 实验装置与实验现象 究和完善，并分别于1987年和1990年获得专 利¨。1。它与传统桥丝式火工品相比具有体积小、发 2．1 实验元件和装置 火能量低、响应快等特点Ho。国内外许多学者对SCB 选用两种SCB作为实验对象，桥区结构见图1，两 产生等离子体的行为进行了若干研究，普遍认为SCB 种样品的厚度均为2¨m，分别对100发1‘样品和 的工作原理为，桥一旦熔化并且完全气化后，电流通过 100发2”样品利用显微镜(OLYMPUSBX51)和多用 硅蒸汽即产生等离子体。5。，由此认为SCB点火属于等表(Agilent 离子体点火，即脉冲电流使SCB熔化、气化爆发后形 成等离子体，等离子体引燃压装在SCB上药剂¨J，而0为600，平均电阻为4．27n，取多晶硅的密度 2323 JongdaeKim等F1发现加载临界爆发电压时，SCB可 以爆发形成蒸汽，但并不一定产生等离子体，当高于某 3．15×1 一电压时SCB才能爆发产生等离子体。关于降低 Q， SCB的发火能量方面，DavidW．Ewick等¨。在低能 x1 SCB有效区质量为6．96 0一g，陶瓷塞直径为 SCB装置桥／药剂界面的优化研究中发现药剂粒径会 4．4mm，两种换能元样品见图2。发火药剂选用 影响点火能量。徐禄。通过对药剂的敏化可以降低 LTNR和PbN。，粒径均值分别为15斗m和5“m，装药 半导体桥的发火能量，周彬‘1叫对半导体桥长宽比对发 量为20 MPa，用铝管壳封装，发火 mg，装药压力为20 火性能的影响方面做了研究。本文对SCB与细化的 件样品见图3。 发火药剂斯蒂芬酸铅(LTNR)和叠氮化铅(PbN。)所 能量加载方式选用电容放电激励，测试原理见图 组成的发火件进行研究，通过10¨F钽电容放电，利用 4和图5，实验装置包括1