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* BUCT 第九章 基本放大电路 9. 2 放大电路的工作原理 9. 3　放大电路的静态分析 9. 4　放大电路的动态分析 9. 5　基本放大电路(共射/共集/共基) 9. 8　多级放大电路 9. 1　双极型晶体管 C B E NPN型晶体管的图形符号 C Ｅ Ｂ PNP型晶体管的图形符号 9. 1　双极型晶体管(BJT—Bipolar Junction Transistor) 一 、基本结构 共发射极接法放大电路 （1）发射结?正向偏置； （2）集电结?反向偏置。 输出 回路 输入 回路 公 共 端 1. 放大状态 条 件 二、三极管的工作状态 RB UBB UCC RC IC UCE C E B IB UBE IE N N P 2. 饱和状态 条 件 （1）发射结正向偏置； （2）集电结正向偏置。 3. 截止状态 条 件 （1）发射结反向偏置； （2）集电结反向偏置。 1. 三极管的输入特性 IB UBE 0 UCE ? 1V IB = f ( UBE ) UC E = 常数 三、三极管的特性曲线 死区电压 温度增加时，由于热激发形成的 载流子增多，在同样的UBE下， 基极电流增加。输入特性曲线左移。 25?C 75?C RB UBB UCC RC IC UCE C E B IB UBE IE UCE /V IB =40μA IB =60μA 0 IC 2. 三极管的输出特性 IB增加 IB减小 IB = 20μA IB = 常数 IC = f ( UCE ) UCE /V IB =40μA IB =60μA 0 IC /mA IB = 0 IB = 常数 IC = f ( UCE ) UCC RC IC UCE C E B IB UBE 饱和区 放 大 区 截止区 IB =20μA 2. 三极管的输出特性 四、 三极管的主要参数 1.电流放大系数 ? 直流电流放大系数 IB ? = IC ? 交流电流放大系数 ? = ? IC ? IB 2.穿透电流 ICEO 3.集电极最大允许电流 ICM 4.集--射反向击穿电压 U (BR)CEO 5.集电极最大允许耗散功率 PCM 极 限 参 数 使用时不 允许超过 UCC RC C E B ICE0 由少数载流子形成，其值受温度影响很大，因此越小越好。 ? 值下降到正常值的2/3所对应的集电极电流 基极开路，集、射极之间最大允许电压。 温度增加时其值减小。 = UCE IC 15V 20mA IC / mA UCE /V 0 IB = 0 μA 20μA 40 μA 60 μA 80 μA 由三极管的极限参数确定安全工作区 U (BR) CEO ICM 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 PCM曲线 ICEO 晶体管正常工作时： P233 思考题(3) 100mW （一） 基本交流放大电路的组成 共发射极接法放大电路 RB RB RC T +UCC 简单画法 RB UBB RC C E B UCC ? 省去一个直流电源 9. 2 放大电路的工作原理 +UCC RB RC C1 C2 T uo 耦合电容 隔直通交 偏置电阻 集电极电阻 直流电源 ui 负载电阻 RL （一） 基本交流放大电路的组成 + + ? C1 ?隔断放大电路与信号源之间的直流通路； ? C2 ?隔断放大电路与负载之间的直流通路。 ? 同时又起到耦合交流的作用，其电容值应足够大。即对交流信号可视为短路。 +UCC RB RC C1 C2 T RL uo RS uS 信号源 负载 （一） 基本交流放大电路的组成 + + +UCC RB RC C1 C2 T （二）信号的放大过程 ui + t ui 0 t uBE 0 UBE t 0 iC IC t 0 iB IB iB uBE iC uCE t 0 UCE uCE t uO 0 uO + iE uBE= UBE+ ui iB= IB+ ib iC = IC + ic uCE= UCC – RCiC=UCC –RC (IC+ic) =UCE – RC ic uO= - RCic + + 判断P237 各电路能否工作？ 放大电路分析 静态分析 动态分析 估算法 图解法 微变等效电路法 图解法 静态分析: 根据电路参数和三极管的特性确定静态值（直流值）UBE、IB、 IC 和UCE。 放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。 画出直流通路 9. 3　放大电路的静态分析 +UCC RB RC C1 C2 T uo ui=0 +UCC RB RC T UCE IC