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3. 半导体三极管及放大电路基础;饥蛮社骇出钧挣谬密尾谗浇壕娜怖咖壳各黎绸柏聋煞劲吻末浑云十士癸拌3.半导体三极管与放大电路基础13.半导体三极管与放大电路基础1;呕怯苏擎坯锻履胜中蔬鸭献捻构抽缺轻谅暑酱验颇壬占密炬妨辗谩斌季疏3.半导体三极管与放大电路基础13.半导体三极管与放大电路基础1;箕雨站楷端薛颓支愈纤吏锥未肄咸友措耻暖警狗奇尿末丙琢懦厩拜版洛姐3.半导体三极管与放大电路基础13.半导体三极管与放大电路基础1;3.1.1 BJT的电流分配与放大作用;如果孤立地看待这两个反向串联的PN结，或将两个普通二极管串联起来组成三极管，是不可能具有电流的放大作用。具有电流放大作用的三极管，PN结内部结构的特殊性是： （1）为了便于发射结发射电子，发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度，且发射结的面积较小。 （2）发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体，但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度，且集电结的面积要比发射结的面积大，便于收集电子。 （3）联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄，且掺杂溶度也很低。 ; 要使三极管具有电流的放大作用，除了三极管的内部因素外，还要具备发射极为正向偏置，集电结为反向偏置的外部条件。 放大器是一个有输入和输出端口的四端网络，要将三极管的三个引脚接成四端网络的电路，必须将三极管的一个脚当公共脚。取发射极当公共脚的放大器称为共发射极放大器。 ;共发射极电路三极管内部载流子运动情况如图所示。;图中共发射极电路三极管内部载流子的运动规律可分为以下的几个过程。 （1）发射区向基区发射电子的过程 发射结处在正向偏置，使发射区的多数载流子（自由电子）不断的通过发射结扩散到基区，即向基区发射电子。与此同时，基区的空穴也会扩散到发射区，由于两者掺杂溶度上的悬殊，形成发射极电流IE的载流子主要是电子，电流的方向与电子流的方向相反。发射区所发射的电子由电源EC的负极来补充。;（2）电子在基区中的扩散与复合的过程 扩散到基区的电子，将有一小部分与基区的空穴复合，同时基极电源EB不断的向基区提供空穴，形成基极电流IB。由于基区掺杂的溶度很低，且很薄，在基区与空穴复合的电子很少，所以，基极电流IB也很小。扩散到基区的电子除了被基区复合掉的一小部分外，大量的电子将在惯性的作用下继续向集电结扩散。;（3）集电结收集电子的过程 反向偏置的集电结在阻碍集电区向基区扩散电子的同时，空间电荷区将向基区延伸，因集电结的面积很大，延伸进基区的空间电荷区使基区的厚度进一步变薄，使发射极扩散来的电子更容易在惯性的作用下进入空间电荷区。集电结的空间电荷区，可将发射区扩散进空间电荷区的电子迅速推向集电极，相当于被集电极收集。集电极收集到的电子由集电极电源Ec吸收，形成集电极电流IC。;VCC;三极管的特殊结构使IC远远大于IB，令 称为三极管的直流电流放大倍数。它是描述三极管基极电流对集电极电流控制能力大小的物理量， 大的管子，基极电流对集电极电流控制的能力就大。 是由晶体管的结构来决定的，一个管子做成以后，该管子 就确定了。 ;发射结;偏置与工作状态 （1）为使发射区发射电子，集电区收集电子，发射结加正向电压（正向偏置），集电结加反向电压（反向偏置），这时晶体管处于放大状态。 （2）发射结、集电结均为正向偏置，为饱和状态。 （3）均为反向偏置，为截止状态。 （4）发射结反向偏置、集电结正向偏置，称倒置状态，很少用。;4. 放大原理 当晶体管发射结外加正向偏置电压、集电结外加反向偏置电压时，若再外加交变信号，使E-B极间电压发生变化，这时，各电极的电流均有变化，分别是Δi E ， Δi B和Δi C，它们的正、负符号与ΔUBE的符号一致，且Δi C远远大于Δi B。因此，晶体管可以靠外施发射结电压的改变，改变i B，i B的变化又会引起i C的很大变化，如果让Δi C在一个电阻产生电压降，就可获得比控制电压大得多的电压。 晶体管用i B控制i C ，是一种电流控制的放大器件。;V;遭核灿汁磅看挺辗岂住啤科拳仰博绊赎缀蛰四饿说矗换澈答少厉获样甩馋3.半导体三极管与放大电路基础13.半导体三极管与放大电路基础1;3.1.3 伏安特性;25℃;迂披草击顿堰急回阎央庄锭晶砖戌霜验揭美干装衰丸乾品船够藻牢取食慈3.半导体三极管与放大电路基础13.半导体三极管与放大电路基础1;早性验聪厩许矛假买胖勺艺奄场痛侮补叠榨魂第雾芦菇二抨试卫雍谈霜委3.半导体三极管与放大电路基础13.半导体三极管与放大电路基础1;由共射极电路可知， vCE =vCB +vBE ，当vCE增加时， 由于vBE变化较少（硅管vBE一般为0.7V左右），故 vCB (集电结反向偏压)随之增加。 vC