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第一章电力电子器件及驱动和保护;本章主要内容;1.1 电力电子器件概述;1.1.1 The concept of power  electronic devices;1.1.1 The concept of power  electronic devices;电力电子器件的特征;1.1.2 理想电力电子开关;1.1.3 电力电子器件的损耗;1.1.4 电力电子器件的分类;不可控器件(Uncontrollable device);半控型器件(Half-controllable device);全控型器件(Full-controllable device);1.1.4 电力电子器件的分类;1.1.4 电力电子器件的分类;1.1.4 电力电子器件的分类;单极型Unipolar devices ;双极型Bipolar devices ;复合型 Composite devices;电力电子器件的家族树;电力电子器件的发展情况;1.2 电力二极管Power Diode;*;1.2.1 电力二极管的结构和基本工作原理;PN Junction的形成; 正向：内电场被削弱，扩散漂移，掺杂形成的多数载流子导电，等效电阻较小。 ;反向：内电场被增强，漂移运动强于扩散运动，光热激发形成的少数载流子导电，等效电阻很大。; 状态 参数;电导调制效应;PN结电容效应;PN结高频等效电路;1.2.2 电力二极管的基本工作特性;动态特性; 关断过程 须经短暂时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。 关断前有较大反向电流，并伴随明显反向电压过冲。;关断过程;正向压降先出现过冲UFP，经一段时间趋于稳态压降的某个值（如 2V）。 正向恢复时间tfr 电流上升率越大，UFP越高 。; 电力二极管的参数主要用来衡量二极管使用过程中： 是否被过压击穿 是否会过热烧毁 开关特性;1.2.3 电力二极管的主要参数;注意： 正向平均电流按照发热条件定义，使用时，应按电流有效值相等原则选取，并留裕量。 ;*;正向压降 定义：在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。;反向重复峰值电压URRM 二极管能重复施加的反向最高峰值电压，通常是雪崩击穿电压UB的2/3，是二极管的额定电压。 最高工作结温TJM 在pn结不损坏前提下所能承受的最高平均温度TJM ，通常在125C-175C。;反向恢复时间 指功率二极管由导通到关断时，从正向电流过零到反向电流下降到峰值的25%时的时间间隔。它与反向电流上升率、结温及正向导通时的最大正向电流有关。 浪涌电流IFSM 指功率二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。一般用额定正向平均电流的倍数和相应的浪涌时间（工频周波数）来规定。;1.2.3 电力二极管的主要参数;1.2.4 电力二极管的主要类型;多用于频率不高（1kHz以下）的整流电路； 反向恢复时间较长,5微秒以上； 正向电流定额和反向电压定额高。;快恢复二极管(Fast Recovery Diode);肖特基二极管(Schottky Barrier Diode);1.3 晶闸管Thyristor;1.3.1 晶闸管的结构;封装形式：螺栓式和平板式。 冷却方式：自然冷却、强迫风冷和水冷。 ;;;1.3.2 晶闸管的工作原理;1.3.2 晶闸管的工作原理; 在极短时间内使两个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。;EA;1.3.2 晶闸管的工作原理; 阳极电压太高，晶闸管击穿； 阳极电压du/dt太大，引起导通； 结温太高，漏电流增大引起导通； 光触发：光直接照射在硅片上产生电子空穴 对，在电场作用下产生触发电流。 ;用万用表简单判断晶闸管三个极的方法;1.3.3 晶闸管的基本工作特性;晶闸管的阳极伏安特性;晶闸管的阳极伏安特性;晶闸管的门极伏安特性;晶闸管的动态特性;晶闸管的动态特性;1.3.4 晶闸管的主要参数; 门极开路，晶闸管额定结温时，管子阳极电压升到正向转折电压之前，即管子正向漏电流开始急剧增大，伏安特性曲线急剧弯曲处，此时对应的阳极电压称为断态不重复峰值电压。 ;反向不重复峰值电压;断态重复峰值电压和反向重复峰值电压;额定电压;通态平均电压;1.3.4 晶闸管的主要参数;通态平均电流;波形系数 ：任一含有直流分量的电流波形，电流有效值I与平均值Id 之比，即 ;正弦半波电流的波形系数计算： 通态平均电流为： ;通态平均电流;维持电流;擎住电流;正向